NVBLS4D0N15MC ONSEMI
Виробник: ONSEMIDescription: ONSEMI - NVBLS4D0N15MC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 187 A, 0.0031 ohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 187A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 316W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 316W
Bauform - Transistor: H-PSOF
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0031ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0031ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 843 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 150+ | 571.41 грн |
| 500+ | 506.73 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NVBLS4D0N15MC ONSEMI
Description: ONSEMI - NVBLS4D0N15MC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 187 A, 0.0031 ohm, H-PSOF, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 187A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 316W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 316W, Bauform - Transistor: H-PSOF, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0031ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0031ohm, SVHC: Lead (14-Jun-2023).
Інші пропозиції NVBLS4D0N15MC за ціною від 396.35 грн до 902.95 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
NVBLS4D0N15MC | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 150V 19A/187A 8HPSOF Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 187A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 3.4W (Ta), 316W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 584µA Supplier Device Package: 8-HPSOF Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7490 pF @ 75 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 1064 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
NVBLS4D0N15MC | Виробник : onsemi |
MOSFETs Single N-Channel, 150 V, 4.4 mohm, 187 A Single N-Channel, 150 V, 4.4 mohm, 187 A |
на замовлення 516 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
NVBLS4D0N15MC | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NVBLS4D0N15MC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 187 A, 0.0031 ohm, H-PSOF, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 187A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 316W Bauform - Transistor: H-PSOF Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0031ohm SVHC: Lead (14-Jun-2023) |
на замовлення 843 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
| NVBLS4D0N15MC | Виробник : ON Semiconductor |
|
на замовлення 1950 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||
 |
NVBLS4D0N15MC | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 150V 22A Automotive AEC-Q101 9-Pin(8+Tab) TO-LL T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
 |
NVBLS4D0N15MC | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 150V 22A Automotive AEC-Q101 9-Pin(8+Tab) TO-LL T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
|
NVBLS4D0N15MC | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 150V 22A Automotive AEC-Q101 9-Pin(8+Tab) TO-LL T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
|
NVBLS4D0N15MC | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 150V 19A/187A 8HPSOF Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 187A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 3.4W (Ta), 316W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 584µA Supplier Device Package: 8-HPSOF Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7490 pF @ 75 V Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
| NVBLS4D0N15MC | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 187A; Idm: 900A; 158W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Power dissipation: 158W Case: H-PSOF8L Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Gate charge: 90.4nC Kind of channel: enhancement On-state resistance: 4.4mΩ Drain current: 187A Pulsed drain current: 900A Drain-source voltage: 150V Gate-source voltage: ±20V |
товару немає в наявності |