Продукція > ONSEMI > NVBYST001N08XTXG

NVBYST001N08XTXG onsemi

Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 80V 467A 16TCPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 467A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.19mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 517W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 475µA
Supplier Device Package: 16-TCPAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 121 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8678 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис NVBYST001N08XTXG onsemi

Description: MOSFET N-CH 80V 467A 16TCPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 16-PowerSOP Module, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 467A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.19mOhm @ 80A, 10V, Power Dissipation (Max): 517W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 475µA, Supplier Device Package: 16-TCPAK, Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 121 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8678 pF @ 40 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції NVBYST001N08XTXG

Фото	Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна
	NVBYST001N08XTXG	Виробник : onsemi	Description: MOSFET N-CH 80V 467A 16TCPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 16-PowerSOP Module Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 467A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.19mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 517W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 475µA Supplier Device Package: 16-TCPAK Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 121 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8678 pF @ 40 V Qualification: AEC-Q101	товару немає в наявності Підписка на надходження	В кошику од. на суму грн.
	NVBYST001N08XTXG	Виробник : onsemi	MOSFETs T10 80V STD NCH MOSFET IN TCPAK 10X12 (FQB6)	товару немає в наявності Підписка на надходження	В кошику од. на суму грн.