Продукція > ONSEMI > NVBYST001N08XTXG
NVBYST001N08XTXG

NVBYST001N08XTXG onsemi

NVBYST001N08X-D.PDF
Виробник: onsemi
MOSFETs T10 80V STD NCH MOSFET IN TCPAK 10X12 (FQB6)
на замовлення 938 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+463.79 грн
10+299.55 грн
100+192.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 31-40 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NVBYST001N08XTXG onsemi

Description: ONSEMI - NVBYST001N08XTXG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 467 A, 0.00119 ohm, TCPAK, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 467A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V, Verlustleistung: 517W, SVHC: No SVHC (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: TCPAK, Anzahl der Pins: 16Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00119ohm.

Інші пропозиції NVBYST001N08XTXG

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
NVBYST001N08XTXG NVBYST001N08XTXG ONSEMI 4737494.pdf Description: ONSEMI - NVBYST001N08XTXG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 467 A, 0.00119 ohm, TCPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 467A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
Verlustleistung: 517W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TCPAK
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00119ohm
на замовлення 1499 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVBYST001N08XTXG NVBYST001N08XTXG ONSEMI 4737494.pdf Description: ONSEMI - NVBYST001N08XTXG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 467 A, 0.00119 ohm, TCPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
на замовлення 1499 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVBYST001N08XTXG 4737494.pdf
NVBYST001N08XTXG
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVBYST001N08XTXG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 467 A, 0.00119 ohm, TCPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 467A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
Verlustleistung: 517W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TCPAK
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00119ohm
на замовлення 1499 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVBYST001N08XTXG 4737494.pdf
NVBYST001N08XTXG
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVBYST001N08XTXG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 467 A, 0.00119 ohm, TCPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
на замовлення 1499 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.