Продукція > ONSEMI > NVC6S5A354PLZT1G

NVC6S5A354PLZT1G onsemi

Name: NVC6S5A354PLZT1G
Brand: onsemi
SKU: 45168719-3
Price: 21532.5 UAH
Availability: InStock

Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 60V 4A 6CPH
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 1mA
Supplier Device Package: 6-CPH
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 42832 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
1350+	15.95 грн

Мінімальне замовлення: 1350

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис NVC6S5A354PLZT1G onsemi

Description: MOSFET P-CH 60V 4A 6CPH, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 1mA, Supplier Device Package: 6-CPH, Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 20 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції NVC6S5A354PLZT1G

Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна
NVC6S5A354PLZT1G	Виробник : ON Semiconductor	MOSFET PCH 4V DRIVE SERIES	на замовлення 15088 шт: термін постачання 21-30 дні (днів)	В кошику од. на суму грн.
NVC6S5A354PLZT1G	Виробник : ON Semiconductor		на замовлення 2990 шт: термін постачання 14-28 дні (днів)	В кошику од. на суму грн.
NVC6S5A354PLZT1G	Виробник : onsemi	Description: MOSFET P-CH 60V 4A 6CPH Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2A, 10V Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 1mA Supplier Device Package: 6-CPH Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 20 V Qualification: AEC-Q101	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
NVC6S5A354PLZT1G	Виробник : onsemi	Description: MOSFET P-CH 60V 4A 6CPH Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2A, 10V Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 1mA Supplier Device Package: 6-CPH Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 20 V Qualification: AEC-Q101	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.