Продукція > ONSEMI > NVD260N65S3T4G
NVD260N65S3T4G

NVD260N65S3T4G onsemi

nvd260n65s3-d.pdf Виробник: onsemi
Description: SF3 EASY AUTO 260MOHM DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 290µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1042 pF @ 400 V
на замовлення 1375 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+170.05 грн
10+ 136.23 грн
100+ 108.44 грн
500+ 86.11 грн
1000+ 73.06 грн
Мінімальне замовлення: 2
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NVD260N65S3T4G onsemi

Description: SF3 EASY AUTO 260MOHM DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 6A, 10V, Power Dissipation (Max): 90W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 290µA, Supplier Device Package: DPAK, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.5 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1042 pF @ 400 V.

Інші пропозиції NVD260N65S3T4G

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
NVD260N65S3T4G Виробник : ON Semiconductor nvd260n65s3-d.pdf N-Channel Power MOSFET
товар відсутній
NVD260N65S3T4G NVD260N65S3T4G Виробник : onsemi nvd260n65s3-d.pdf Description: SF3 EASY AUTO 260MOHM DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 290µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1042 pF @ 400 V
товар відсутній
NVD260N65S3T4G Виробник : onsemi NVD260N65S3_D-2319810.pdf MOSFET SF3 EASY AUTO, 260MOHM, DPAK
товар відсутній