Продукція > ONSEMI > NVD3055-150T4G-VF01
NVD3055-150T4G-VF01

NVD3055-150T4G-VF01 onsemi

ntd3055-150-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 9A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 28.8W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+30.17 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NVD3055-150T4G-VF01 onsemi

Description: MOSFET N-CH 60V 9A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 4.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 28.8W (Tj), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: DPAK, Grade: Automotive, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 25 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції NVD3055-150T4G-VF01 за ціною від 27.83 грн до 114.69 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NVD3055-150T4G-VF01 NVD3055-150T4G-VF01 Виробник : onsemi ntd3055-150-d.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 9A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 28.8W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4565 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+109.81 грн
10+67.35 грн
100+45.03 грн
500+33.29 грн
1000+30.40 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NVD3055-150T4G-VF01 NVD3055-150T4G-VF01 Виробник : onsemi ntd3055-150-d.pdf MOSFETs NFET DPAK 60V 9A 1 50MOHM
на замовлення 1293 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+114.69 грн
10+71.89 грн
100+41.81 грн
500+32.95 грн
1000+30.04 грн
2500+27.83 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NVD3055-150T4G-VF01 Виробник : ONSEMI ntd3055-150-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 9A; Idm: 45A; 28.8W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 9A
Pulsed drain current: 45A
Power dissipation: 28.8W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 7.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.