NVD4806NT4G onsemi
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 30V 76A DPAK
Packaging: Bulk
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2142 pF @ 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta), 68W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.3A (Ta), 79A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NVD4806NT4G onsemi
Description: MOSFET N-CH 30V 76A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.3A (Ta), 79A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 30A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta), 68W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: DPAK, Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2142 pF @ 12 V, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції NVD4806NT4G
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
NVD4806NT4G | ON Semiconductor |
MOSFET NFET DPAK 30V 76A 6MOHM |
на замовлення 825 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| NVD4806NT4G |
|
Виробник: ON Semiconductor
MOSFET NFET DPAK 30V 76A 6MOHM
MOSFET NFET DPAK 30V 76A 6MOHM
на замовлення 825 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)