NVD5117PLT4G-VF01 onsemi
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 60V 11A/61A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 61A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 29A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.1W (Ta), 118W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 242.55 грн |
| 10+ | 153.20 грн |
| 100+ | 107.10 грн |
| 500+ | 88.28 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NVD5117PLT4G-VF01 onsemi
Description: MOSFET P-CH 60V 11A/61A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 61A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 29A, 10V, Power Dissipation (Max): 4.1W (Ta), 118W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: DPAK, Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 25 V, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції NVD5117PLT4G-VF01
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
NVD5117PLT4G-VF01 | onsemi |
MOSFET PFET DPAK 60V 61A 16MOHM |
на замовлення 14818 шт: термін постачання 448-457 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
|
|
NVD5117PLT4G-VF01 | onsemi |
Description: MOSFET P-CH 60V 11A/61A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 61A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 29A, 10V Power Dissipation (Max): 4.1W (Ta), 118W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. |
| NVD5117PLT4G-VF01 | ONN |
|
на замовлення 7500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| NVD5117PLT4G-VF01 |
|
Виробник: onsemi
MOSFET PFET DPAK 60V 61A 16MOHM
MOSFET PFET DPAK 60V 61A 16MOHM
на замовлення 14818 шт:
термін постачання 448-457 дні (днів)
| NVD5117PLT4G-VF01 |
|
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 60V 11A/61A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 61A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 29A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.1W (Ta), 118W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
Description: MOSFET P-CH 60V 11A/61A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 61A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 29A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.1W (Ta), 118W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| NVD5117PLT4G-VF01 |
|
Виробник: ONN
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)