Продукція > ONSEMI > NVD5117PLT4G-VF01
NVD5117PLT4G-VF01

NVD5117PLT4G-VF01 onsemi

nvd5117pl-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 60V 11A/61A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 61A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 29A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.1W (Ta), 118W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+85.13 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NVD5117PLT4G-VF01 onsemi

Description: MOSFET P-CH 60V 11A/61A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 61A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 29A, 10V, Power Dissipation (Max): 4.1W (Ta), 118W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: DPAK, Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 25 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції NVD5117PLT4G-VF01 за ціною від 76.94 грн до 258.51 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NVD5117PLT4G-VF01 NVD5117PLT4G-VF01 Виробник : ON Semiconductor nvd5117pl-d.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 11A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+95.90 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
NVD5117PLT4G-VF01 NVD5117PLT4G-VF01 Виробник : ONSEMI 2907468.pdf Description: ONSEMI - NVD5117PLT4G-VF01 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 61 A, 0.012 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 61A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 118W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
на замовлення 6542 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+133.37 грн
500+96.33 грн
2500+84.68 грн
5000+83.27 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NVD5117PLT4G-VF01 NVD5117PLT4G-VF01 Виробник : onsemi nvd5117pl-d.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 11A/61A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 61A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 29A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.1W (Ta), 118W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4095 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+215.94 грн
10+142.58 грн
100+103.43 грн
500+80.86 грн
1000+76.94 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NVD5117PLT4G-VF01 NVD5117PLT4G-VF01 Виробник : onsemi NVD5117PL_D-2319720.pdf MOSFET PFET DPAK 60V 61A 16MOHM
на замовлення 14818 шт:
термін постачання 448-457 дні (днів)
Кількість Ціна
2+242.31 грн
10+214.37 грн
100+149.72 грн
500+122.56 грн
1000+102.01 грн
2500+94.67 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NVD5117PLT4G-VF01 NVD5117PLT4G-VF01 Виробник : ONSEMI nvd5117pl-d.pdf Description: ONSEMI - NVD5117PLT4G-VF01 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 61 A, 0.012 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 61A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 118W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 5854 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+258.51 грн
10+190.18 грн
100+144.90 грн
500+118.50 грн
1000+93.15 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NVD5117PLT4G-VF01 Виробник : ONSEMI nvd5117pl-d.pdf NVD5117PLT4G-VF01 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.