Продукція > ON SEMICONDUCTOR > NVD5117PLT4G-VF01
NVD5117PLT4G-VF01

NVD5117PLT4G-VF01 ON Semiconductor

nvd5117pl-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 60V 11A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 22500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+87.57 грн
Мінімальне замовлення: 2500
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NVD5117PLT4G-VF01 ON Semiconductor

Description: MOSFET P-CH 60V 11A/61A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 61A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 29A, 10V, Power Dissipation (Max): 4.1W (Ta), 118W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: DPAK, Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 25 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції NVD5117PLT4G-VF01 за ціною від 85.69 грн до 219.32 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
NVD5117PLT4G-VF01 NVD5117PLT4G-VF01 Виробник : onsemi nvd5117pl-d.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 11A/61A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 61A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 29A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.1W (Ta), 118W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 24600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+195.45 грн
10+ 168.97 грн
100+ 135.85 грн
500+ 104.75 грн
1000+ 86.79 грн
Мінімальне замовлення: 2
NVD5117PLT4G-VF01 NVD5117PLT4G-VF01 Виробник : onsemi NVD5117PL_D-2319720.pdf MOSFET PFET DPAK 60V 61A 16MOHM
на замовлення 14818 шт:
термін постачання 448-457 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+219.32 грн
10+ 194.03 грн
100+ 135.51 грн
500+ 110.93 грн
1000+ 92.33 грн
2500+ 85.69 грн
Мінімальне замовлення: 2
NVD5117PLT4G-VF01 NVD5117PLT4G-VF01 Виробник : onsemi nvd5117pl-d.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 11A/61A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 61A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 29A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.1W (Ta), 118W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній