Продукція > ONSEMI > NVD5C434NT4G
NVD5C434NT4G

NVD5C434NT4G ONSEMI

ONSM-S-A0013277251-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVD5C434NT4G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 163 A, 0.0017 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 163A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 117W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0017ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2246 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+150.68 грн
500+134.41 грн
1000+118.27 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NVD5C434NT4G ONSEMI

Description: ONSEMI - NVD5C434NT4G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 163 A, 0.0017 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 163A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 117W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0017ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).

Інші пропозиції NVD5C434NT4G за ціною від 115.45 грн до 231.54 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NVD5C434NT4G NVD5C434NT4G Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0013277251-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NVD5C434NT4G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 163 A, 0.0017 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 163A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 117W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0017ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2246 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+228.56 грн
10+204.86 грн
100+150.68 грн
500+134.41 грн
1000+118.27 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NVD5C434NT4G NVD5C434NT4G Виробник : onsemi NVD5C434N_D-2319547.pdf MOSFETs T6 40V SL IN DPAK
на замовлення 2451 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+231.54 грн
10+204.80 грн
100+130.55 грн
500+115.45 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NVD5C434NT4G NVD5C434NT4G Виробник : ON Semiconductor NVD5C434N-D-1814525.pdf MOSFET T6 40V SL IN DPAK
на замовлення 3654 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVD5C434NT4G Виробник : ON Semiconductor
на замовлення 1930 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVD5C434NT4G Виробник : ONSEMI NVD5C434NT4G SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.