Продукція > ONSEMI > NVD5C446NT4G
NVD5C446NT4G

NVD5C446NT4G onsemi

nvd5c446n-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CHANNEL 40V 101A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 105A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 66W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2500+63.79 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NVD5C446NT4G onsemi

Description: ONSEMI - NVD5C446NT4G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 101 A, 0.0035 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 101A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 101W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0035ohm.

Інші пропозиції NVD5C446NT4G за ціною від 58.71 грн до 214.62 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
NVD5C446NT4G NVD5C446NT4G ONSEMI ONSM-S-A0014832231-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NVD5C446NT4G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 101 A, 0.0035 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 101A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 101W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0035ohm
на замовлення 827 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+108.54 грн
500+83.23 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVD5C446NT4G NVD5C446NT4G onsemi NVD5C446N-D.PDF MOSFETs T6 40V SL DPAK
на замовлення 3463 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+165.28 грн
10+124.01 грн
100+78.24 грн
500+69.07 грн
1000+63.01 грн
2500+58.71 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVD5C446NT4G NVD5C446NT4G onsemi nvd5c446n-d.pdf Description: MOSFET N-CHANNEL 40V 101A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 105A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 66W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4633 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+208.54 грн
10+129.96 грн
100+89.87 грн
500+70.57 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVD5C446NT4G NVD5C446NT4G ONSEMI ONSM-S-A0014832231-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NVD5C446NT4G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 101 A, 0.0035 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 101A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 101W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0035ohm
на замовлення 827 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+214.62 грн
10+139.79 грн
100+108.54 грн
500+83.23 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVD5C446NT4G ON Semiconductor nvd5c446n-d.pdf
на замовлення 2430 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVD5C446NT4G ONSM-S-A0014832231-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
NVD5C446NT4G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVD5C446NT4G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 101 A, 0.0035 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 101A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 101W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0035ohm
на замовлення 827 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+108.54 грн
500+83.23 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVD5C446NT4G NVD5C446N-D.PDF
NVD5C446NT4G
Виробник: onsemi
MOSFETs T6 40V SL DPAK
на замовлення 3463 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
2+165.28 грн
10+124.01 грн
100+78.24 грн
500+69.07 грн
1000+63.01 грн
2500+58.71 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVD5C446NT4G nvd5c446n-d.pdf
NVD5C446NT4G
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CHANNEL 40V 101A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 105A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 66W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4633 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+208.54 грн
10+129.96 грн
100+89.87 грн
500+70.57 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVD5C446NT4G ONSM-S-A0014832231-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
NVD5C446NT4G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVD5C446NT4G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 101 A, 0.0035 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 101A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 101W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0035ohm
на замовлення 827 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4+214.62 грн
10+139.79 грн
100+108.54 грн
500+83.23 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVD5C446NT4G nvd5c446n-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
на замовлення 2430 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.