NVD5C632NLT4G onsemi
на замовлення 1806 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 281.54 грн |
| 10+ | 207.26 грн |
| 100+ | 132.88 грн |
| 500+ | 131.35 грн |
| 1000+ | 124.48 грн |
| 2500+ | 111.50 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NVD5C632NLT4G onsemi
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 155A; Idm: 900A; 58W; DPAK, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 60V, Drain current: 155A, Pulsed drain current: 900A, Power dissipation: 58W, Case: DPAK, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 2.5mΩ, Mounting: SMD, Gate charge: 78nC, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhancement.
Інші пропозиції NVD5C632NLT4G
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
NVD5C632NLT4G | Виробник : ON Semiconductor |
 Trans MOSFET N-CH 60V 29A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товару немає в наявності |
|
 |
NVD5C632NLT4G | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 60V 29A/155A DPAK |
товару немає в наявності |
|
| NVD5C632NLT4G | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 155A; Idm: 900A; 58W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 155A Pulsed drain current: 900A Power dissipation: 58W Case: DPAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 78nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |