Продукція > ONSEMI > NVD5C632NLT4G

NVD5C632NLT4G onsemi

Name: NVD5C632NLT4G
Brand: onsemi
SKU: 5183777-4
Price: 557.52 UAH
Availability: InStock

Виробник: onsemi
MOSFETs Single N-Channel Power MOSFET 60V, 155A, 2.5mohm DPAK 2500 tape and reel

на замовлення 1806 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

Кількість	Ціна
2+	278.76 грн
10+	205.22 грн
100+	131.57 грн
500+	130.06 грн
1000+	123.25 грн
2500+	110.40 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис NVD5C632NLT4G onsemi

Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 155A; Idm: 900A; 58W; DPAK, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 60V, Drain current: 155A, Pulsed drain current: 900A, Power dissipation: 58W, Case: DPAK, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 2.5mΩ, Mounting: SMD, Gate charge: 78nC, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhancement, кількість в упаковці: 1 шт.

Інші пропозиції NVD5C632NLT4G

Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна
NVD5C632NLT4G	Виробник : ON Semiconductor	Trans MOSFET N-CH 60V 29A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
NVD5C632NLT4G	Виробник : ONSEMI	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 155A; Idm: 900A; 58W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 155A Pulsed drain current: 900A Power dissipation: 58W Case: DPAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 78nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
NVD5C632NLT4G	Виробник : onsemi	Description: MOSFET N-CH 60V 29A/155A DPAK	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
NVD5C632NLT4G	Виробник : ONSEMI	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 155A; Idm: 900A; 58W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 155A Pulsed drain current: 900A Power dissipation: 58W Case: DPAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 78nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.