Продукція > ONSEMI > NVD5C688NLT4G
NVD5C688NLT4G

NVD5C688NLT4G ONSEMI

nvd5c688nl-d.pdf Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 12A; Idm: 77A; 9W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 77A
Power dissipation: 9W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 27.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1718 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+86.52 грн
6+73.25 грн
10+68.53 грн
25+65.37 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NVD5C688NLT4G ONSEMI

Description: MOSFET N-CHANNEL 60V 17A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27.4mOhm @ 10A, 10V, Power Dissipation (Max): 18W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA, Supplier Device Package: DPAK, Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±16V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.4 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 25 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції NVD5C688NLT4G за ціною від 48.92 грн до 123.50 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NVD5C688NLT4G NVD5C688NLT4G Виробник : ONSEMI nvd5c688nl-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 12A; Idm: 77A; 9W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 77A
Power dissipation: 9W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 27.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1718 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+103.82 грн
5+91.28 грн
10+82.23 грн
25+78.45 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NVD5C688NLT4G NVD5C688NLT4G Виробник : onsemi nvd5c688nl-d.pdf Description: MOSFET N-CHANNEL 60V 17A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27.4mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 18W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2325 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+113.69 грн
10+91.37 грн
100+72.67 грн
500+57.70 грн
1000+48.96 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NVD5C688NLT4G NVD5C688NLT4G Виробник : onsemi NVD5C688NL_D-2319487.pdf MOSFET T6 60V LL DPAK
на замовлення 8340 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+123.50 грн
10+98.26 грн
100+70.25 грн
250+67.30 грн
500+58.90 грн
1000+50.43 грн
2500+48.92 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NVD5C688NLT4G NVD5C688NLT4G Виробник : ON Semiconductor nvd5c688nl-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 7A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVD5C688NLT4G NVD5C688NLT4G Виробник : onsemi nvd5c688nl-d.pdf Description: MOSFET N-CHANNEL 60V 17A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27.4mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 18W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.