Продукція > ONSEMI > NVD5C688NLT4G
NVD5C688NLT4G

NVD5C688NLT4G onsemi

nvd5c688nl-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CHANNEL 60V 17A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27.4mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 18W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2325 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+108.25 грн
10+86.99 грн
100+69.19 грн
500+54.94 грн
1000+46.62 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NVD5C688NLT4G onsemi

Description: MOSFET N-CHANNEL 60V 17A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27.4mOhm @ 10A, 10V, Power Dissipation (Max): 18W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA, Supplier Device Package: DPAK, Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±16V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.4 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 25 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції NVD5C688NLT4G за ціною від 44.79 грн до 113.07 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NVD5C688NLT4G NVD5C688NLT4G Виробник : onsemi NVD5C688NL_D-2319487.pdf MOSFET T6 60V LL DPAK
на замовлення 8340 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+113.07 грн
10+89.96 грн
100+64.31 грн
250+61.61 грн
500+53.93 грн
1000+46.17 грн
2500+44.79 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NVD5C688NLT4G Виробник : ONSEMI nvd5c688nl-d.pdf NVD5C688NLT4G SMD N channel transistors
на замовлення 1712 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
4+90.46 грн
36+86.99 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NVD5C688NLT4G NVD5C688NLT4G Виробник : onsemi nvd5c688nl-d.pdf Description: MOSFET N-CHANNEL 60V 17A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27.4mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 18W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.