Продукція > ONSEMI > NVD6416ANLT4G-VF01
NVD6416ANLT4G-VF01

NVD6416ANLT4G-VF01 onsemi

ntd6416anl-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 19A DPAK-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 74mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK-3
Grade: Automotive
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1826 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+82.76 грн
10+65.06 грн
100+50.63 грн
500+40.28 грн
1000+32.81 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NVD6416ANLT4G-VF01 onsemi

Description: MOSFET N-CH 100V 19A DPAK-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 74mOhm @ 19A, 10V, Power Dissipation (Max): 71W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA, Supplier Device Package: DPAK-3, Grade: Automotive, Part Status: Not For New Designs, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 25 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції NVD6416ANLT4G-VF01 за ціною від 30.24 грн до 125.31 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NVD6416ANLT4G-VF01 NVD6416ANLT4G-VF01 Виробник : onsemi NTD6416ANL_D-1101731.pdf MOSFETs NFET DPAK 100V 19A 81MOHM
на замовлення 379 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+125.31 грн
10+79.61 грн
100+47.01 грн
500+37.30 грн
1000+34.21 грн
2500+30.24 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NVD6416ANLT4G-VF01 NVD6416ANLT4G-VF01 Виробник : ON Semiconductor ntd6416anl-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 19A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVD6416ANLT4G-VF01 NVD6416ANLT4G-VF01 Виробник : onsemi ntd6416anl-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 19A DPAK-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 74mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK-3
Grade: Automotive
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.