Продукція > ONSEMI > NVDS015N15MCT4G
NVDS015N15MCT4G

NVDS015N15MCT4G onsemi

nvds015n15mc-d.pdf Виробник: onsemi
Description: PTNG 150V 15MOHM DPAK AUTOMOTIVE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta), 61.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 29A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 107.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 162µA
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2120 pF @ 75 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+57.85 грн
5000+54.70 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NVDS015N15MCT4G onsemi

Description: PTNG 150V 15MOHM DPAK AUTOMOTIVE, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta), 61.3A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 29A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 107.1W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 162µA, Supplier Device Package: DPAK, Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2120 pF @ 75 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції NVDS015N15MCT4G за ціною від 54.72 грн до 177.34 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NVDS015N15MCT4G NVDS015N15MCT4G Виробник : onsemi nvds015n15mc-d.pdf Description: PTNG 150V 15MOHM DPAK AUTOMOTIVE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta), 61.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 29A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 107.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 162µA
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2120 pF @ 75 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 15482 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+166.90 грн
10+114.32 грн
100+82.33 грн
500+62.84 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NVDS015N15MCT4G NVDS015N15MCT4G Виробник : onsemi NVDS015N15MC-D.PDF MOSFETs N-Channel Shielded Gate PowerTrench 150 V, 15 mohm, 61.3 A
на замовлення 3407 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+177.34 грн
10+124.12 грн
100+78.28 грн
500+64.38 грн
1000+58.75 грн
2500+54.72 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NVDS015N15MCT4G Виробник : ON Semiconductor nvds015n15mc-d.pdf N Channel Shielded Gate Power Trench 150 V, 15 m, 61.3 A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.