Продукція > ONSEMI > NVDSH50120C
NVDSH50120C

NVDSH50120C onsemi

nvdsh50120c-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 53A TO247-2
Qualification: AEC-Q101
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 50 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Grade: Automotive
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-247-2
Current - Average Rectified (Io): 53A
Capacitance @ Vr, F: 3691pF @ 1V, 100kHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-2
Packaging: Tube
на замовлення 1390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1543.33 грн
30+989.92 грн
120+985.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NVDSH50120C onsemi

Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 53A TO247-2, Qualification: AEC-Q101, Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 50 A, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V, Grade: Automotive, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Supplier Device Package: TO-247-2, Current - Average Rectified (Io): 53A, Capacitance @ Vr, F: 3691pF @ 1V, 100kHz, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-247-2, Packaging: Tube.

Інші пропозиції NVDSH50120C

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
NVDSH50120C NVDSH50120C onsemi NVDSH50120C_D-2497386.pdf SiC Schottky Diodes SIC DIODE GEN20 1200V TO247-2L
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVDSH50120C ONSEMI nvdsh50120c-d.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 53A; TO247-2; tube
Mounting: THT
Kind of package: tube
Max. forward voltage: 1.75V
Load current: 53A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Application: automotive industry
Case: TO247-2
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Semiconductor structure: single diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVDSH50120C NVDSH50120C_D-2497386.pdf
NVDSH50120C
Виробник: onsemi
SiC Schottky Diodes SIC DIODE GEN20 1200V TO247-2L
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVDSH50120C nvdsh50120c-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 53A; TO247-2; tube
Mounting: THT
Kind of package: tube
Max. forward voltage: 1.75V
Load current: 53A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Application: automotive industry
Case: TO247-2
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Semiconductor structure: single diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.