NVDSH50120C onsemi
Виробник: onsemiDescription: DIODE SIL CARB 1.2KV 53A TO247-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 3691pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 53A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 50 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1563.17 грн |
| 30+ | 1002.65 грн |
| 120+ | 998.14 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NVDSH50120C onsemi
Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 53A TO247-2, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-2, Mounting Type: Through Hole, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 3691pF @ 1V, 100kHz, Current - Average Rectified (Io): 53A, Supplier Device Package: TO-247-2, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Grade: Automotive, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 50 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції NVDSH50120C
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
NVDSH50120C | Виробник : ON Semiconductor |
SiliconCarbide Schottky Diode 1200 V, 50 A Automotive AEC-Q101 |
товару немає в наявності |
|
| NVDSH50120C | Виробник : ONSEMI |
NVDSH50120C THT Schottky diodes |
товару немає в наявності |
||
 |
NVDSH50120C | Виробник : onsemi |
SiC Schottky Diodes SIC DIODE GEN20 1200V TO247-2L |
товару немає в наявності |