NVDSH50120C onsemi
Виробник: onsemi
Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 53A TO247-2
Qualification: AEC-Q101
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 50 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Grade: Automotive
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-247-2
Current - Average Rectified (Io): 53A
Capacitance @ Vr, F: 3691pF @ 1V, 100kHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-2
Packaging: Tube
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1561.28 грн |
| 30+ | 1001.44 грн |
| 120+ | 996.93 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NVDSH50120C onsemi
Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 53A TO247-2, Qualification: AEC-Q101, Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 50 A, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V, Grade: Automotive, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Supplier Device Package: TO-247-2, Current - Average Rectified (Io): 53A, Capacitance @ Vr, F: 3691pF @ 1V, 100kHz, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-247-2, Packaging: Tube.
Інші пропозиції NVDSH50120C
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| NVDSH50120C | ONN |
|
на замовлення 450 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| NVDSH50120C |
|
Виробник: ONN
на замовлення 450 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)