NVE4153NT1G
Код товару: 183802
Додати до обраних
Обраний товар
Виробник:
Корпус: SC-89
Uds,V: 20 V
Idd,A: 0,915 A
Rds(on), Ohm: 230 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 110/
Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції NVE4153NT1G за ціною від 8.45 грн до 52.30 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
NVE4153NT1G | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 20V 915MA SC89 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-89, SOT-490 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 915mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 600mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 300mW (Tj) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA Supplier Device Package: SC-89-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±6V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.82 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110 pF @ 16 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 51000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
NVE4153NT1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NVE4153NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 26 V, 915 mA, 0.23 ohm, SC-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 26V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 915mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 760mV euEccn: NLR Verlustleistung: 300mW Bauform - Transistor: SC-89 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.23ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 2806 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
NVE4153NT1G | Виробник : onsemi |
MOSFETs NFET SC89 20V 915MA 230MO |
на замовлення 5872 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
NVE4153NT1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NVE4153NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 26 V, 915 mA, 0.23 ohm, SC-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 26V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 915mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 760mV euEccn: NLR Verlustleistung: 300mW Bauform - Transistor: SC-89 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.23ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 2806 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
NVE4153NT1G | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 20V 915MA SC89 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-89, SOT-490 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 915mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 600mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 300mW (Tj) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA Supplier Device Package: SC-89-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±6V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.82 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110 pF @ 16 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 54376 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| NVE4153NT1G | Виробник : ON Semiconductor |
|
на замовлення 70 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |