Продукція > ON SEMICONDUCTOR > NVE4153NT1G
NVE4153NT1G

NVE4153NT1G ON Semiconductor

nta4153n-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 20V 0.915A Automotive 3-Pin SC-89 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+11.50 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NVE4153NT1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - NVE4153NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 26 V, 915 mA, 0.127 ohm, SC-89, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 26V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 915mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 760mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300mW, Bauform - Transistor: SC-89, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.127ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції NVE4153NT1G за ціною від 10.69 грн до 51.97 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NVE4153NT1G NVE4153NT1G Виробник : onsemi nta4153n-d.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 915MA SC89
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-89, SOT-490
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 915mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 600mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 300mW (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-89-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.82 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110 pF @ 16 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+12.13 грн
6000+10.80 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NVE4153NT1G NVE4153NT1G Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0013750259-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NVE4153NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 26 V, 915 mA, 0.127 ohm, SC-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 26V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 915mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 760mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SC-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.127ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 149 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+24.16 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NVE4153NT1G NVE4153NT1G Виробник : onsemi nta4153n-d.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 915MA SC89
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-89, SOT-490
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 915mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 600mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 300mW (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-89-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.82 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110 pF @ 16 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9539 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+42.65 грн
12+27.56 грн
100+18.80 грн
500+13.84 грн
1000+12.58 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
NVE4153NT1G NVE4153NT1G Виробник : onsemi nta4153n-d.pdf MOSFETs NFET SC89 20V 915MA 230MO
на замовлення 5872 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+48.56 грн
11+34.36 грн
100+21.38 грн
500+16.23 грн
1000+14.71 грн
3000+12.13 грн
6000+10.69 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
NVE4153NT1G NVE4153NT1G Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0013750259-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NVE4153NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 26 V, 915 mA, 0.127 ohm, SC-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 26V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 915mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 760mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SC-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.127ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 149 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
17+51.97 грн
24+35.47 грн
100+24.16 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
NVE4153NT1G Виробник : ON Semiconductor nta4153n-d.pdf
на замовлення 70 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVE4153NT1G NVE4153NT1G
Код товару: 183802
Додати до обраних Обраний товар

NTA4153N_D-2318727.pdf Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: SC-89
Uds,V: 20 V
Idd,A: 0,915 A
Rds(on), Ohm: 230 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 110/
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVE4153NT1G Виробник : ONSEMI nta4153n-d.pdf NVE4153NT1G SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.