NVF2955T1G onsemi
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 60V 2.6A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 750mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 492 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 39.04 грн |
| 2000+ | 34.61 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NVF2955T1G onsemi
Description: ONSEMI - NVF2955T1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 2.6 A, 0.145 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 2.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 2.3W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.145ohm.
Інші пропозиції NVF2955T1G за ціною від 34.56 грн до 141.96 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
NVF2955T1G | ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 60V 2.6A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
NVF2955T1G | ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 60V 2.6A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
NVF2955T1G | ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 60V 2.6A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 685 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
NVF2955T1G | ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 60V 2.6A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 685 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
NVF2955T1G | ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 60V 2.6A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 45000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
NVF2955T1G | ONSEMI |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -2.6A; 2.3W; SOT223 Mounting: SMD Power dissipation: 2.3W Gate charge: 14.3nC Polarisation: unipolar Drain current: -2.6A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: -60V Type of transistor: P-MOSFET Gate-source voltage: ±20V Kind of package: reel; tape Case: SOT223 On-state resistance: 154mΩ |
на замовлення 635 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||
|
NVF2955T1G | ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 60V 2.6A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
NVF2955T1G | onsemi |
Description: MOSFET P-CH 60V 2.6A SOT223Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 750mA, 10V Power Dissipation (Max): 1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261) Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 492 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 2744 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
NVF2955T1G | ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 60V 2.6A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 1190 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
NVF2955T1G | ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 60V 2.6A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 1190 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
NVF2955T1G | onsemi |
MOSFETs PFET SOT223 60V 2.6A 140M |
на замовлення 12776 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
NVF2955T1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NVF2955T1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 2.6 A, 0.145 ohm, SOT-223, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 2.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 2.3W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.145ohm |
на замовлення 464 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
NVF2955T1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NVF2955T1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 2.6 A, 0.145 ohm, SOT-223, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 2.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 2.3W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.145ohm |
на замовлення 464 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| NVF2955T1G | ON-Semiconductor |
Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 185mOhm; 2,6A; 2,3W; -55°C ~ 175°C; NVF2955T1G TNVF2955tкількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 50 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
| NVF2955T1G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 60V 2.6A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
Trans MOSFET P-CH 60V 2.6A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 48.44 грн |
| 2000+ | 45.37 грн |
| NVF2955T1G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 60V 2.6A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
Trans MOSFET P-CH 60V 2.6A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 48.44 грн |
| 2000+ | 45.37 грн |
| NVF2955T1G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 60V 2.6A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
Trans MOSFET P-CH 60V 2.6A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 685 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 15+ | 51.90 грн |
| 25+ | 51.16 грн |
| 100+ | 48.62 грн |
| 250+ | 44.35 грн |
| 500+ | 41.93 грн |
| NVF2955T1G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 60V 2.6A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
Trans MOSFET P-CH 60V 2.6A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 685 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 272+ | 51.90 грн |
| 276+ | 51.16 грн |
| 280+ | 50.42 грн |
| 285+ | 47.90 грн |
| 500+ | 43.68 грн |
| NVF2955T1G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 60V 2.6A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
Trans MOSFET P-CH 60V 2.6A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 576+ | 61.30 грн |
| 1000+ | 56.53 грн |
| 10000+ | 50.41 грн |
| NVF2955T1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -2.6A; 2.3W; SOT223
Mounting: SMD
Power dissipation: 2.3W
Gate charge: 14.3nC
Polarisation: unipolar
Drain current: -2.6A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -60V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: SOT223
On-state resistance: 154mΩ
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -2.6A; 2.3W; SOT223
Mounting: SMD
Power dissipation: 2.3W
Gate charge: 14.3nC
Polarisation: unipolar
Drain current: -2.6A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -60V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: SOT223
On-state resistance: 154mΩ
на замовлення 635 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6+ | 85.69 грн |
| 10+ | 62.64 грн |
| 25+ | 51.64 грн |
| NVF2955T1G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 60V 2.6A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
Trans MOSFET P-CH 60V 2.6A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 131+ | 108.00 грн |
| 251+ | 56.34 грн |
| 1000+ | 54.68 грн |
| NVF2955T1G |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 60V 2.6A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 750mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 492 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
Description: MOSFET P-CH 60V 2.6A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 750mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 492 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2744 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 127.38 грн |
| 10+ | 77.79 грн |
| 50+ | 58.40 грн |
| 100+ | 48.93 грн |
| 500+ | 38.60 грн |
| NVF2955T1G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 60V 2.6A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
Trans MOSFET P-CH 60V 2.6A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6+ | 141.96 грн |
| 10+ | 98.57 грн |
| 100+ | 67.17 грн |
| 500+ | 53.73 грн |
| 1000+ | 44.99 грн |
| NVF2955T1G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 60V 2.6A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
Trans MOSFET P-CH 60V 2.6A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 100+ | 141.96 грн |
| 144+ | 98.57 грн |
| 211+ | 67.17 грн |
| 500+ | 53.73 грн |
| 1000+ | 44.99 грн |
| NVF2955T1G |
![]() |
Виробник: onsemi
MOSFETs PFET SOT223 60V 2.6A 140M
MOSFETs PFET SOT223 60V 2.6A 140M
на замовлення 12776 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| NVF2955T1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVF2955T1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 2.6 A, 0.145 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 2.3W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.145ohm
Description: ONSEMI - NVF2955T1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 2.6 A, 0.145 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 2.3W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.145ohm
на замовлення 464 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| NVF2955T1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVF2955T1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 2.6 A, 0.145 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 2.3W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.145ohm
Description: ONSEMI - NVF2955T1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 2.6 A, 0.145 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 2.3W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.145ohm
на замовлення 464 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| NVF2955T1G |
![]() |
Виробник: ON-Semiconductor
Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 185mOhm; 2,6A; 2,3W; -55°C ~ 175°C; NVF2955T1G TNVF2955t
кількість в упаковці: 10 шт
Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 185mOhm; 2,6A; 2,3W; -55°C ~ 175°C; NVF2955T1G TNVF2955t
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 20+ | 34.56 грн |






