Продукція > ON SEMICONDUCTOR > NVF2955T1G
NVF2955T1G

NVF2955T1G ON Semiconductor

ntf2955d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 60V 2.6A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+48.55 грн
2000+45.48 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NVF2955T1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - NVF2955T1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 2.6 A, 0.145 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 2.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 2.3W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.145ohm.

Інші пропозиції NVF2955T1G за ціною від 34.64 грн до 142.27 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
NVF2955T1G NVF2955T1G ON Semiconductor ntf2955d.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 2.6A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+48.55 грн
2000+45.48 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVF2955T1G NVF2955T1G ON Semiconductor ntf2955d.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 2.6A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 685 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+52.02 грн
25+51.27 грн
100+48.73 грн
250+44.45 грн
500+42.03 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVF2955T1G NVF2955T1G ON Semiconductor ntf2955d.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 2.6A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 685 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
272+52.02 грн
276+51.27 грн
280+50.53 грн
285+48.01 грн
500+43.78 грн
Мінімальне замовлення: 272 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVF2955T1G NVF2955T1G ON Semiconductor ntf2955d.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 2.6A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
576+61.44 грн
1000+56.66 грн
10000+50.52 грн
Мінімальне замовлення: 576 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVF2955T1G NVF2955T1G ONSEMI NTF2955.PDF Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -2.6A; 2.3W; SOT223
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -2.6A
Power dissipation: 2.3W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 154mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 14.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 660 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+84.90 грн
10+62.06 грн
25+51.16 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVF2955T1G NVF2955T1G ON Semiconductor ntf2955d.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 2.6A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
131+108.24 грн
251+56.46 грн
1000+54.80 грн
Мінімальне замовлення: 131 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVF2955T1G NVF2955T1G onsemi ntf2955-d.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 2.6A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 750mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 492 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 744 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+126.19 грн
10+77.06 грн
50+57.86 грн
100+48.48 грн
500+38.24 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVF2955T1G NVF2955T1G ON Semiconductor ntf2955d.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 2.6A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+142.27 грн
10+98.79 грн
100+67.32 грн
500+53.85 грн
1000+45.09 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVF2955T1G NVF2955T1G ON Semiconductor ntf2955d.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 2.6A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+142.27 грн
144+98.79 грн
211+67.32 грн
500+53.85 грн
1000+45.09 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVF2955T1G NVF2955T1G onsemi ntf2955-d.pdf MOSFETs PFET SOT223 60V 2.6A 140M
на замовлення 8031 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVF2955T1G NVF2955T1G ONSEMI ONSM-S-A0013670027-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NVF2955T1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 2.6 A, 0.145 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 2.3W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.145ohm
на замовлення 464 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVF2955T1G NVF2955T1G ONSEMI ONSM-S-A0013670027-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NVF2955T1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 2.6 A, 0.145 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 2.3W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.145ohm
на замовлення 464 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVF2955T1G ON-Semiconductor ntf2955-d.pdf Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 185mOhm; 2,6A; 2,3W; -55°C ~ 175°C; NVF2955T1G TNVF2955t
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+34.64 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVF2955T1G ntf2955d.pdf
NVF2955T1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 60V 2.6A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+48.55 грн
2000+45.48 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVF2955T1G ntf2955d.pdf
NVF2955T1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 60V 2.6A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 685 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
15+52.02 грн
25+51.27 грн
100+48.73 грн
250+44.45 грн
500+42.03 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVF2955T1G ntf2955d.pdf
NVF2955T1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 60V 2.6A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 685 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
272+52.02 грн
276+51.27 грн
280+50.53 грн
285+48.01 грн
500+43.78 грн
Мінімальне замовлення: 272 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVF2955T1G ntf2955d.pdf
NVF2955T1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 60V 2.6A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
576+61.44 грн
1000+56.66 грн
10000+50.52 грн
Мінімальне замовлення: 576 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVF2955T1G NTF2955.PDF
NVF2955T1G
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -2.6A; 2.3W; SOT223
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -2.6A
Power dissipation: 2.3W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 154mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 14.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 660 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+84.90 грн
10+62.06 грн
25+51.16 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVF2955T1G ntf2955d.pdf
NVF2955T1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 60V 2.6A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
131+108.24 грн
251+56.46 грн
1000+54.80 грн
Мінімальне замовлення: 131 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVF2955T1G ntf2955-d.pdf
NVF2955T1G
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 60V 2.6A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 750mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 492 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 744 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+126.19 грн
10+77.06 грн
50+57.86 грн
100+48.48 грн
500+38.24 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVF2955T1G ntf2955d.pdf
NVF2955T1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 60V 2.6A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+142.27 грн
10+98.79 грн
100+67.32 грн
500+53.85 грн
1000+45.09 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVF2955T1G ntf2955d.pdf
NVF2955T1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 60V 2.6A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
100+142.27 грн
144+98.79 грн
211+67.32 грн
500+53.85 грн
1000+45.09 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVF2955T1G ntf2955-d.pdf
NVF2955T1G
Виробник: onsemi
MOSFETs PFET SOT223 60V 2.6A 140M
на замовлення 8031 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVF2955T1G ONSM-S-A0013670027-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
NVF2955T1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVF2955T1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 2.6 A, 0.145 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 2.3W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.145ohm
на замовлення 464 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVF2955T1G ONSM-S-A0013670027-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
NVF2955T1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVF2955T1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 2.6 A, 0.145 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 2.3W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.145ohm
на замовлення 464 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVF2955T1G ntf2955-d.pdf
Виробник: ON-Semiconductor
Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 185mOhm; 2,6A; 2,3W; -55°C ~ 175°C; NVF2955T1G TNVF2955t
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
20+34.64 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.