Продукція > ONSEMI > NVF6P02T3G
NVF6P02T3G

NVF6P02T3G onsemi

ntf6p02t3-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 20V 10A SOT-223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 8.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Grade: Automotive
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 16 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 28000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4000+32.88 грн
8000+30.28 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NVF6P02T3G onsemi

Description: ONSEMI - NVF6P02T3G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 10 A, 0.05 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 10A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 8.3W, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm, SVHC: Lead (25-Jun-2025).

Інші пропозиції NVF6P02T3G за ціною від 31.86 грн до 137.32 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
NVF6P02T3G NVF6P02T3G ONSEMI ntf6p02t3-d.pdf Description: ONSEMI - NVF6P02T3G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 10 A, 0.05 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 8.3W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 3501 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+82.07 грн
250+54.85 грн
1000+40.09 грн
2000+34.47 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVF6P02T3G NVF6P02T3G onsemi ntf6p02t3-d.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 10A SOT-223
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 16 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 8.3W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 6A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 28208 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+123.70 грн
10+76.13 грн
100+51.13 грн
500+37.95 грн
1000+34.78 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVF6P02T3G NVF6P02T3G ONSEMI ntf6p02t3-d.pdf Description: ONSEMI - NVF6P02T3G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 10 A, 0.05 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 8.3W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 3501 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+128.28 грн
50+82.07 грн
250+54.85 грн
1000+40.09 грн
2000+34.47 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVF6P02T3G NVF6P02T3G onsemi ntf6p02t3-d.pdf MOSFETs POWER MOSFET
на замовлення 4032 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+137.32 грн
10+86.73 грн
100+50.32 грн
500+39.75 грн
1000+36.44 грн
2000+34.04 грн
4000+31.86 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVF6P02T3G ON Semiconductor ntf6p02t3-d.pdf
на замовлення 1204 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVF6P02T3G ntf6p02t3-d.pdf
NVF6P02T3G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVF6P02T3G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 10 A, 0.05 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 8.3W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 3501 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+82.07 грн
250+54.85 грн
1000+40.09 грн
2000+34.47 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVF6P02T3G ntf6p02t3-d.pdf
NVF6P02T3G
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 20V 10A SOT-223
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 16 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 8.3W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 6A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 28208 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+123.70 грн
10+76.13 грн
100+51.13 грн
500+37.95 грн
1000+34.78 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVF6P02T3G ntf6p02t3-d.pdf
NVF6P02T3G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVF6P02T3G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 10 A, 0.05 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 8.3W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 3501 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
7+128.28 грн
50+82.07 грн
250+54.85 грн
1000+40.09 грн
2000+34.47 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVF6P02T3G ntf6p02t3-d.pdf
NVF6P02T3G
Виробник: onsemi
MOSFETs POWER MOSFET
на замовлення 4032 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
3+137.32 грн
10+86.73 грн
100+50.32 грн
500+39.75 грн
1000+36.44 грн
2000+34.04 грн
4000+31.86 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVF6P02T3G ntf6p02t3-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
на замовлення 1204 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.