Продукція > ONSEMI > NVF6P02T3G
NVF6P02T3G

NVF6P02T3G onsemi

ntf6p02t3-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 20V 10A SOT-223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 8.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 16 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+33.83 грн
8000+31.33 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NVF6P02T3G onsemi

Description: MOSFET P-CH 20V 10A SOT-223, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-261-4, TO-261AA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 6A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 8.3W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261), Part Status: Not For New Designs, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 16 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції NVF6P02T3G за ціною від 31.39 грн до 123.36 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NVF6P02T3G NVF6P02T3G Виробник : ONSEMI ntf6p02t3-d.pdf Description: ONSEMI - NVF6P02T3G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 10 A, 0.05 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 8.3W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 4411 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+86.53 грн
250+63.65 грн
1000+42.80 грн
2000+38.92 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NVF6P02T3G NVF6P02T3G Виробник : onsemi ntf6p02t3-d.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 10A SOT-223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 8.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 16 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 14021 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+109.04 грн
10+73.74 грн
100+52.91 грн
500+39.26 грн
1000+35.99 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NVF6P02T3G NVF6P02T3G Виробник : onsemi NTF6P02T3-D.PDF MOSFETs POWER MOSFET
на замовлення 1305 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+117.61 грн
10+81.59 грн
100+50.94 грн
500+40.32 грн
1000+36.89 грн
2000+36.35 грн
4000+31.39 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NVF6P02T3G NVF6P02T3G Виробник : ONSEMI ntf6p02t3-d.pdf Description: ONSEMI - NVF6P02T3G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 10 A, 0.05 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 8.3W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 4411 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+123.36 грн
50+86.53 грн
250+63.65 грн
1000+42.80 грн
2000+38.92 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
NVF6P02T3G Виробник : ONSEMI ntf6p02t3-d.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET
Type of transistor: P-MOSFET
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+43.86 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
NVF6P02T3G Виробник : ON Semiconductor ntf6p02t3-d.pdf
на замовлення 1204 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVF6P02T3G NVF6P02T3G Виробник : ON Semiconductor ntf6p02t3-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 10A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.