
на замовлення 2978 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
6+ | 65.95 грн |
10+ | 46.98 грн |
100+ | 27.94 грн |
500+ | 23.29 грн |
1000+ | 19.88 грн |
3000+ | 17.05 грн |
6000+ | 16.25 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NVGS4111PT1G onsemi
Description: MOSFET P-CH 30V 3.7A 6TSOP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.7A, 10V, Power Dissipation (Max): 630mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: 6-TSOP, Grade: Automotive, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 15 V, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції NVGS4111PT1G
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
---|---|---|---|---|---|
NVGS4111PT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 2580 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
NVGS4111PT1G | Виробник : ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
||
![]() |
NVGS4111PT1G | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.7A, 10V Power Dissipation (Max): 630mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSOP Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 15 V Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |
|
![]() |
NVGS4111PT1G | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.7A, 10V Power Dissipation (Max): 630mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSOP Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 15 V Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |