
NVGS5120PT1G onsemi

Description: MOSFET P-CH 60V 1.8A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 111mOhm @ 2.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 600mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 942 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 84000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
3000+ | 23.82 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NVGS5120PT1G onsemi
Description: MOSFET P-CH 60V 1.8A 6TSOP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 111mOhm @ 2.9A, 10V, Power Dissipation (Max): 600mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: 6-TSOP, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.1 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 942 pF @ 30 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції NVGS5120PT1G за ціною від 22.64 грн до 104.40 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
NVGS5120PT1G | Виробник : onsemi |
![]() |
на замовлення 208086 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
NVGS5120PT1G | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 111mOhm @ 2.9A, 10V Power Dissipation (Max): 600mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSOP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.1 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 942 pF @ 30 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 84977 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
NVGS5120PT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 10286 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
NVGS5120PT1G | Виробник : ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |