Продукція > ONSEMI > NVGS5120PT1G
NVGS5120PT1G

NVGS5120PT1G onsemi

ntgs5120p-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 60V 1.8A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 111mOhm @ 2.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 600mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 942 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 51000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+23.74 грн
6000+21.21 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NVGS5120PT1G onsemi

Description: MOSFET P-CH 60V 1.8A 6TSOP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 111mOhm @ 2.9A, 10V, Power Dissipation (Max): 600mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: 6-TSOP, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.1 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 942 pF @ 30 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції NVGS5120PT1G за ціною від 26.25 грн до 97.76 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
NVGS5120PT1G NVGS5120PT1G ONSEMI ntgs5120p-d.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -2.9A; Idm: -20A; 1.1W; TSOP6
Case: TSOP6
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: -60V
Pulsed drain current: -20A
Drain current: -2.9A
Gate charge: 18.1nC
On-state resistance: 111mΩ
Power dissipation: 1.1W
Gate-source voltage: ±20V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
на замовлення 2895 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+78.94 грн
7+58.97 грн
10+52.38 грн
50+40.11 грн
100+36.07 грн
500+30.64 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVGS5120PT1G NVGS5120PT1G onsemi ntgs5120p-d.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 1.8A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 111mOhm @ 2.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 600mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 942 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 51614 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+97.76 грн
10+59.37 грн
100+39.34 грн
500+28.85 грн
1000+26.25 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVGS5120PT1G NVGS5120PT1G onsemi ntgs5120p-d.pdf MOSFETs PFET TSOP6 60V 2.5A 111MO
на замовлення 184829 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVGS5120PT1G ON Semiconductor ntgs5120p-d.pdf
на замовлення 10286 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVGS5120PT1G ntgs5120p-d.pdf
NVGS5120PT1G
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -2.9A; Idm: -20A; 1.1W; TSOP6
Case: TSOP6
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: -60V
Pulsed drain current: -20A
Drain current: -2.9A
Gate charge: 18.1nC
On-state resistance: 111mΩ
Power dissipation: 1.1W
Gate-source voltage: ±20V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
на замовлення 2895 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+78.94 грн
7+58.97 грн
10+52.38 грн
50+40.11 грн
100+36.07 грн
500+30.64 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVGS5120PT1G ntgs5120p-d.pdf
NVGS5120PT1G
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 60V 1.8A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 111mOhm @ 2.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 600mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 942 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 51614 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+97.76 грн
10+59.37 грн
100+39.34 грн
500+28.85 грн
1000+26.25 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVGS5120PT1G ntgs5120p-d.pdf
NVGS5120PT1G
Виробник: onsemi
MOSFETs PFET TSOP6 60V 2.5A 111MO
на замовлення 184829 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVGS5120PT1G ntgs5120p-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
на замовлення 10286 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.