NVGS5120PT1G onsemi
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 60V 1.8A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 111mOhm @ 2.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 600mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 942 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 23.98 грн |
| 6000+ | 21.43 грн |
| 9000+ | 20.57 грн |
| 15000+ | 19.04 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NVGS5120PT1G onsemi
Description: MOSFET P-CH 60V 1.8A 6TSOP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 111mOhm @ 2.9A, 10V, Power Dissipation (Max): 600mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: 6-TSOP, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.1 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 942 pF @ 30 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції NVGS5120PT1G за ціною від 20.04 грн до 97.76 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
NVGS5120PT1G | onsemi |
Description: MOSFET P-CH 60V 1.8A 6TSOPPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 111mOhm @ 2.9A, 10V Power Dissipation (Max): 600mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSOP Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.1 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 942 pF @ 30 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 61029 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
NVGS5120PT1G | onsemi |
MOSFETs PFET TSOP6 60V 2.5A 111MO |
на замовлення 184829 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| NVGS5120PT1G | ON Semiconductor |
|
на замовлення 10286 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| NVGS5120PT1G |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 60V 1.8A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 111mOhm @ 2.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 600mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 942 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
Description: MOSFET P-CH 60V 1.8A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 111mOhm @ 2.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 600mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 942 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 61029 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 92.70 грн |
| 10+ | 56.05 грн |
| 100+ | 37.14 грн |
| 500+ | 27.24 грн |
| 1000+ | 24.79 грн |
| NVGS5120PT1G |
![]() |
Виробник: onsemi
MOSFETs PFET TSOP6 60V 2.5A 111MO
MOSFETs PFET TSOP6 60V 2.5A 111MO
на замовлення 184829 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 97.76 грн |
| 10+ | 59.99 грн |
| 100+ | 34.56 грн |
| 500+ | 27.23 грн |
| 1000+ | 24.65 грн |
| 3000+ | 21.65 грн |
| 6000+ | 20.04 грн |
| NVGS5120PT1G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
на замовлення 10286 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)


