NVH4L015N065SC1 onsemi
Виробник: onsemiDescription: SIC MOS TO247-4L 650V
Packaging: Tray
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 142A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 75A, 18V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 25mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 283 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4790 pF @ 325 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6520 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 2628.62 грн |
| 30+ | 1842.02 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NVH4L015N065SC1 onsemi
Description: SIC MOS TO247-4L 650V, Packaging: Tray, Package / Case: TO-247-4, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 142A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 75A, 18V, Power Dissipation (Max): 500W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 25mA, Supplier Device Package: TO-247-4L, Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V, Vgs (Max): +22V, -8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 283 nC @ 18 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4790 pF @ 325 V, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції NVH4L015N065SC1 за ціною від 1849.62 грн до 2842.14 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
NVH4L015N065SC1 | Виробник : onsemi |
SiC MOSFETs Silicon Carbide (SiC) MOSFET, N-Channel - EliteSiC, 12 mohm, 650V, M2, TO247-4L |
на замовлення 408 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||
| NVH4L015N065SC1 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 142A Automotive Tube |
товару немає в наявності |
||||||||||
| NVH4L015N065SC1 | Виробник : ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 100A; Idm: 483A; 250W Type of transistor: N-MOSFET Technology: SiC Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 100A Pulsed drain current: 483A Power dissipation: 250W Case: TO247-4 Gate-source voltage: -5...18V On-state resistance: 16Ω Mounting: THT Gate charge: 283C Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: Kelvin terminal |
товару немає в наявності |