Продукція > ONSEMI > NVH4L020N090SC1
NVH4L020N090SC1

NVH4L020N090SC1 onsemi

nvh4l020n090sc1-d.pdf Виробник: onsemi
Description: SIC MOSFET 900V TO247-4L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 116A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 60A, 18V
Power Dissipation (Max): 484W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 20mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 196 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4415 pF @ 450 V
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+4178.80 грн
10+3754.05 грн
100+3259.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NVH4L020N090SC1 onsemi

Description: SIC MOSFET 900V TO247-4L, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-4, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 116A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 60A, 18V, Power Dissipation (Max): 484W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 20mA, Supplier Device Package: TO-247-4L, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V, Vgs (Max): +22V, -8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 196 nC @ 15 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4415 pF @ 450 V.

Інші пропозиції NVH4L020N090SC1 за ціною від 3367.95 грн до 4394.47 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NVH4L020N090SC1 NVH4L020N090SC1 Виробник : onsemi NVH4L020N090SC1_D-3006655.pdf MOSFET SIC MOSFET 900V TO247-4L 20MOHM
на замовлення 440 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+4394.47 грн
10+4042.35 грн
30+3367.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.