Продукція > ONSEMI > NVH4L020N120SC1
NVH4L020N120SC1

NVH4L020N120SC1 ONSEMI

nvh4l020n120sc1-d.pdf Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVH4L020N120SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 102 A, 1.2 kV, 0.02 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 102A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 510W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2691.30 грн
5+2551.99 грн
10+2411.83 грн
50+2110.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NVH4L020N120SC1 ONSEMI

Description: ONSEMI - NVH4L020N120SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 102 A, 1.2 kV, 0.02 ohm, TO-247, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 102A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 510W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: EliteSiC Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 20V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).

Інші пропозиції NVH4L020N120SC1 за ціною від 2408.88 грн до 3302.28 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NVH4L020N120SC1 NVH4L020N120SC1 Виробник : onsemi NVH4L020N120SC1-D.PDF SiC MOSFETs SIC MOS TO247-4L 20MOHM 1200V
на замовлення 282 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+3264.70 грн
10+2773.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVH4L020N120SC1 NVH4L020N120SC1 Виробник : onsemi nvh4l020n120sc1-d.pdf Description: SICFET N-CH 1200V 102A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 102A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 60A, 20V
Power Dissipation (Max): 510W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 20mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 220 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2943 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1716 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+3302.28 грн
30+2408.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVH4L020N120SC1 NVH4L020N120SC1 Виробник : ON Semiconductor nvh4l020n120sc1-d.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 102A Automotive 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVH4L020N120SC1 Виробник : ONSEMI nvh4l020n120sc1-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 71.4A; Idm: 408A; 250W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 71.4A
Pulsed drain current: 408A
Power dissipation: 250W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -5...20V
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.22µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.