Продукція > ONSEMI > NVH4L022N120M3S
NVH4L022N120M3S

NVH4L022N120M3S onsemi

nvh4l022n120m3s-d.pdf Виробник: onsemi
Description: SIC MOS TO247-4L 22MOHM 1200V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 68A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 40A, 18V
Power Dissipation (Max): 352W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 20mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 151 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3175 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 872 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+3769.75 грн
10+3410.12 грн
30+3300.07 грн
120+2869.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NVH4L022N120M3S onsemi

Description: SIC MOS TO247-4L 22MOHM 1200V, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-4, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 68A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 40A, 18V, Power Dissipation (Max): 352W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 20mA, Supplier Device Package: TO-247-4L, Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V, Vgs (Max): +22V, -10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 151 nC @ 18 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3175 pF @ 800 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції NVH4L022N120M3S за ціною від 1385.29 грн до 3944.73 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NVH4L022N120M3S NVH4L022N120M3S Виробник : onsemi NVH4L022N120M3S_D-2583680.pdf MOSFET Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 22 mohm, 1200 V, M3S, TO247-4L
на замовлення 859 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+3944.73 грн
10+3608.34 грн
25+3071.47 грн
50+3030.27 грн
100+2878.72 грн
450+2769.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVH4L022N120M3S Виробник : ON Semiconductor nvh4l022n120m3s-d.pdf Silicon Carbide MOSFET,22mohm,1200V
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
450+1385.29 грн
Мінімальне замовлення: 450
В кошику  од. на суму  грн.
NVH4L022N120M3S Виробник : ONSEMI nvh4l022n120m3s-d.pdf NVH4L022N120M3S THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.