Продукція > ONSEMI > NVH4L022N120M3S
NVH4L022N120M3S

NVH4L022N120M3S onsemi

nvh4l022n120m3s-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: SIC MOS TO247-4L 22MOHM 1200V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: TO-247-4L
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 20mA
Power Dissipation (Max): 352W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 40A, 18V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 68A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-4
Packaging: Tube
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3175 pF @ 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 151 nC @ 18 V
на замовлення 246803 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+2820.73 грн
30+1859.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NVH4L022N120M3S onsemi

Description: SIC MOS TO247-4L 22MOHM 1200V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V, Vgs (Max): +22V, -10V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V, Grade: Automotive, Supplier Device Package: TO-247-4L, Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 20mA, Power Dissipation (Max): 352W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 40A, 18V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 68A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: SiCFET (Silicon Carbide), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-247-4, Packaging: Tube, Qualification: AEC-Q101, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3175 pF @ 800 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 151 nC @ 18 V.

Інші пропозиції NVH4L022N120M3S

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
NVH4L022N120M3S NVH4L022N120M3S onsemi NVH4L022N120M3S_D-2583680.pdf MOSFET Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 22 mohm, 1200 V, M3S, TO247-4L
на замовлення 859 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVH4L022N120M3S NVH4L022N120M3S ONSEMI 3772051.pdf Description: ONSEMI - NVH4L022N120M3S - MOSFET, N-CH, 1.2KV, 68A, TO-247
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 68A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Single
Verlustleistung: 352W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: N Channel
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
directShipCharge: 25
на замовлення 70 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVH4L022N120M3S ONN nvh4l022n120m3s-d.pdf
на замовлення 450 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVH4L022N120M3S NVH4L022N120M3S_D-2583680.pdf
NVH4L022N120M3S
Виробник: onsemi
MOSFET Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 22 mohm, 1200 V, M3S, TO247-4L
на замовлення 859 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVH4L022N120M3S 3772051.pdf
NVH4L022N120M3S
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVH4L022N120M3S - MOSFET, N-CH, 1.2KV, 68A, TO-247
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 68A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Single
Verlustleistung: 352W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: N Channel
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
directShipCharge: 25
на замовлення 70 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVH4L022N120M3S nvh4l022n120m3s-d.pdf
Виробник: ONN
на замовлення 450 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.