Продукція > ONSEMI > NVH4L032N065M3S
NVH4L032N065M3S

NVH4L032N065M3S onsemi

nvh4l032n065m3s-d.pdf Виробник: onsemi
Description: SIC MOS TO247-4L 32MOHM 650V M3S
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 15A, 18V
Power Dissipation (Max): 187W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 7.5mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1410 pF @ 400 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 14362 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1025.25 грн
30+665.36 грн
120+625.70 грн
510+575.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NVH4L032N065M3S onsemi

Description: SIC MOS TO247-4L 32MOHM 650V M3S, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-4, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 15A, 18V, Power Dissipation (Max): 187W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 7.5mA, Supplier Device Package: TO-247-4, Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V, Vgs (Max): +22V, -8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 18 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1410 pF @ 400 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції NVH4L032N065M3S за ціною від 515.89 грн до 1169.03 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NVH4L032N065M3S NVH4L032N065M3S Виробник : onsemi nvh4l032n065m3s-d.pdf SiC MOSFETs SIC MOS TO247-4L 32MOHM 650V M3S
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1045.88 грн
10+904.24 грн
120+679.90 грн
270+658.02 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVH4L032N065M3S NVH4L032N065M3S Виробник : ONSEMI nvh4l032n065m3s-d.pdf Description: ONSEMI - NVH4L032N065M3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 50 A, 650 V, 0.044 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 187W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1169.03 грн
5+992.11 грн
10+815.19 грн
50+682.29 грн
100+527.50 грн
250+515.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVH4L032N065M3S Виробник : ON Semiconductor nvh4l032n065m3s-d.pdf SiC MOS TO247-4L 32mohm 650V M3S
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.