| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 1446.92 грн |
| 30+ | 875.78 грн |
| 60+ | 814.31 грн |
| 120+ | 715.73 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NVH4L040N120M3S-IE onsemi
Description: ONSEMI - NVH4L040N120M3S-IE - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 54 A, 1.2 kV, 0.04 ohm, TO-247, tariffCode: 85411000, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 54A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, Verlustleistung: 231W, SVHC: Lead (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: EliteSiC Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm.
Інші пропозиції NVH4L040N120M3S-IE
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
NVH4L040N120M3S-IE | ONSEMI |
 Description: ONSEMI - NVH4L040N120M3S-IE - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 54 A, 1.2 kV, 0.04 ohm, TO-247tariffCode: 85411000 euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 54A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins Verlustleistung: 231W SVHC: Lead (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: EliteSiC Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 18V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm |
на замовлення 450 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| NVH4L040N120M3S-IE |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVH4L040N120M3S-IE - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 54 A, 1.2 kV, 0.04 ohm, TO-247
tariffCode: 85411000
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 54A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 231W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
Description: ONSEMI - NVH4L040N120M3S-IE - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 54 A, 1.2 kV, 0.04 ohm, TO-247
tariffCode: 85411000
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 54A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 231W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)