Продукція > ONSEMI > NVH4L040N120SC1
NVH4L040N120SC1

NVH4L040N120SC1 onsemi

nvh4l040n120sc1-d.pdf Виробник: onsemi
Description: SICFET N-CH 1200V 58A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 35A, 20V
Power Dissipation (Max): 319W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 106 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1762 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 364 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1811.22 грн
30+ 1591.4 грн
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NVH4L040N120SC1 onsemi

Description: SICFET N-CH 1200V 58A TO247-4, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-4, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 35A, 20V, Power Dissipation (Max): 319W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 10mA, Supplier Device Package: TO-247-4L, Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V, Vgs (Max): +25V, -15V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 106 nC @ 20 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1762 pF @ 800 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції NVH4L040N120SC1 за ціною від 1803.84 грн до 3036.86 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
NVH4L040N120SC1 NVH4L040N120SC1 Виробник : ONSEMI NVH4L040N120SC1-D.PDF Description: ONSEMI - NVH4L040N120SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 58 A, 1.2 kV, 0.04 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 58A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 319W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
на замовлення 885 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+2690.89 грн
5+ 2472.95 грн
10+ 2255.01 грн
50+ 2023.7 грн
100+ 1803.84 грн
NVH4L040N120SC1 NVH4L040N120SC1 Виробник : onsemi NVH4L040N120SC1_D-2319373.pdf MOSFET Silicon Carbide (SiC) MOSFET, N-Channel - EliteSiC, 40 mohm, 1200 V, M1, TO247-4L Silicon Carbide MOSFET, N?Channel, 1200 V, 40 m?, TO247?4L
на замовлення 272 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+3036.86 грн
10+ 2971.21 грн
25+ 2366.02 грн
50+ 2364.02 грн
100+ 2345.99 грн
450+ 2345.32 грн
NVH4L040N120SC1 Виробник : ON Semiconductor nvh4l040n120sc1-d.pdf
на замовлення 91 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NVH4L040N120SC1 NVH4L040N120SC1 Виробник : ON Semiconductor nvh4l040n120sc1-d.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 58A Automotive 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній