Продукція > ONSEMI > NVH4L040N65S3F
NVH4L040N65S3F

NVH4L040N65S3F ONSEMI

nvh4l040n65s3f-d.pdf Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVH4L040N65S3F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 65 A, 0.0338 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 65A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 446W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: SuperFET III FRFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0338ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 351 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+715.33 грн
5+659.65 грн
10+603.11 грн
50+531.39 грн
100+463.34 грн
250+436.91 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NVH4L040N65S3F ONSEMI

Description: ONSEMI - NVH4L040N65S3F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 65 A, 0.0338 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 65A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 446W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: SuperFET III FRFET, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0338ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції NVH4L040N65S3F за ціною від 559.85 грн до 966.68 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NVH4L040N65S3F NVH4L040N65S3F Виробник : onsemi nvh4l040n65s3f-d.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 65A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 32.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 446W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 2.1mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Part Status: Active
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5665 pF @ 400 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1798 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+912.00 грн
30+629.90 грн
120+605.20 грн
510+559.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVH4L040N65S3F NVH4L040N65S3F Виробник : onsemi NVH4L040N65S3F-D.PDF MOSFETs SUPERFET III MOSFET
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+966.68 грн
10+683.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVH4L040N65S3F NVH4L040N65S3F Виробник : ON Semiconductor nvh4l040n65s3f-d.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 65A Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVH4L040N65S3F Виробник : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDC9B917D54D051A0CE&compId=NVH4L040N65S3F.PDF?ci_sign=97405cd7052e52cff4b3d9d05793a36be1f8fdc4 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 45A; Idm: 162.5A; 446W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 446W
Case: TO247
Mounting: THT
Gate charge: 160nC
Kind of package: tube
Drain current: 45A
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 162.5A
Drain-source voltage: 650V
On-state resistance: 33.8mΩ
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.