NVH4L040N65S3F ONSEMI
Виробник: ONSEMIDescription: ONSEMI - NVH4L040N65S3F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 65 A, 0.0338 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 65A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 446W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: SuperFET III FRFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0338ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 351 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 790.37 грн |
| 5+ | 730.61 грн |
| 10+ | 670.84 грн |
| 50+ | 560.5 грн |
| 100+ | 497.53 грн |
| 250+ | 471.92 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NVH4L040N65S3F ONSEMI
Description: ONSEMI - NVH4L040N65S3F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 65 A, 0.0338 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 65A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 446W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: SuperFET III FRFET, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0338ohm, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).
Інші пропозиції NVH4L040N65S3F за ціною від 511.19 грн до 969.6 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
NVH4L040N65S3F | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 650V 65A TO247-4 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 32.5A, 10V Power Dissipation (Max): 446W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 2.1mA Supplier Device Package: TO-247-4L Part Status: Active Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5665 pF @ 400 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 1798 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
NVH4L040N65S3F | Виробник : onsemi |
MOSFET SF3 FRFET AUTO, 40MOHM, TO-247-4L |
на замовлення 375 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
NVH4L040N65S3F | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 650V 65A Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| NVH4L040N65S3F | Виробник : ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 45A; Idm: 162.5A; 446W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 45A Pulsed drain current: 162.5A Power dissipation: 446W Case: TO247 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 33.8mΩ Mounting: THT Gate charge: 160nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
| NVH4L040N65S3F | Виробник : ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 45A; Idm: 162.5A; 446W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 45A Pulsed drain current: 162.5A Power dissipation: 446W Case: TO247 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 33.8mΩ Mounting: THT Gate charge: 160nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |