
NVH4L045N065SC1 onsemi

Description: SIC MOS TO247-4L 650V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 25A, 18V
Power Dissipation (Max): 187W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 8mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1870 pF @ 325 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1344 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 1301.19 грн |
30+ | 1014.45 грн |
120+ | 954.78 грн |
510+ | 812.03 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NVH4L045N065SC1 onsemi
Description: SIC MOS TO247-4L 650V, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-4, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 25A, 18V, Power Dissipation (Max): 187W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 8mA, Supplier Device Package: TO-247-4L, Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V, Vgs (Max): +22V, -8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 18 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1870 pF @ 325 V, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції NVH4L045N065SC1 за ціною від 824.18 грн до 1418.77 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
NVH4L045N065SC1 | Виробник : onsemi |
![]() |
на замовлення 447 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
NVH4L045N065SC1 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |