Продукція > ONSEMI > NVH4L045N065SC1
NVH4L045N065SC1

NVH4L045N065SC1 onsemi

nvh4l045n065sc1-d.pdf Виробник: onsemi
Description: SIC MOS TO247-4L 650V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 25A, 18V
Power Dissipation (Max): 187W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 8mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1870 pF @ 325 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1344 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1356.57 грн
30+1057.62 грн
120+995.42 грн
510+846.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NVH4L045N065SC1 onsemi

Description: SIC MOS TO247-4L 650V, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-4, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 25A, 18V, Power Dissipation (Max): 187W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 8mA, Supplier Device Package: TO-247-4L, Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V, Vgs (Max): +22V, -8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 18 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1870 pF @ 325 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції NVH4L045N065SC1 за ціною від 790.39 грн до 1450.58 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NVH4L045N065SC1 NVH4L045N065SC1 Виробник : onsemi nvh4l045n065sc1-d.pdf SiC MOSFETs Silicon Carbide (SiC) MOSFET, N-Channel - EliteSiC, 33 mohm, 650V, M2, TO247-4L
на замовлення 444 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1450.58 грн
10+952.07 грн
120+790.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVH4L045N065SC1 Виробник : ON Semiconductor nvh4l045n065sc1-d.pdf SiC MOS TO247-4L 650V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVH4L045N065SC1 Виробник : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDFB59AB795B97EC0D8&compId=NVH4L045N065SC1.PDF?ci_sign=7fd222a1bb44cf8be84ebf23b05b553ec6446e2f Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 55A; Idm: 197A; 187W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 55A
Pulsed drain current: 197A
Power dissipation: 187W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -8...22V
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 105nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.