Продукція > ONSEMI > NVH4L060N065SC1
NVH4L060N065SC1

NVH4L060N065SC1 onsemi

nvh4l060n065sc1-d.pdf
Виробник: onsemi
SiC MOSFETs SIC MOS TO247-4L 650V
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+951.73 грн
10+668.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NVH4L060N065SC1 onsemi

Description: SIC MOS TO247-4L 650V, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-4, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 20A, 18V, Power Dissipation (Max): 176W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 6.5mA, Supplier Device Package: TO-247-4L, Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 18 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1473 pF @ 325 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції NVH4L060N065SC1 за ціною від 584.56 грн до 1140.50 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NVH4L060N065SC1 NVH4L060N065SC1 Виробник : onsemi nvh4l060n065sc1-d.pdf Description: SIC MOS TO247-4L 650V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 20A, 18V
Power Dissipation (Max): 176W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 6.5mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1473 pF @ 325 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 438 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1140.50 грн
30+676.91 грн
120+584.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVH4L060N065SC1 Виробник : ONSEMI nvh4l060n065sc1-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 33A; Idm: 152A; 88W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 33A
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -5...18V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 152A
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Technology: SiC
Gate charge: 74nC
On-state resistance: 50mΩ
Power dissipation: 88W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.