на замовлення 412 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1187.38 грн |
| 10+ | 1030.41 грн |
| 30+ | 872.26 грн |
| 60+ | 823.26 грн |
| 120+ | 775.01 грн |
| 270+ | 751.25 грн |
| 510+ | 702.26 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NVH4L070N120M3S onsemi
Description: SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET-ELI, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-4, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 87mOhm @ 15A, 18V, Power Dissipation (Max): 160W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 7mA, Supplier Device Package: TO-247-4L, Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V, Vgs (Max): +22V, -10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 18 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1230 pF @ 800 V, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції NVH4L070N120M3S за ціною від 634.49 грн до 1234.24 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
NVH4L070N120M3S | Виробник : onsemi |
 Description: SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET-ELIPackaging: Tube Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 87mOhm @ 15A, 18V Power Dissipation (Max): 160W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 7mA Supplier Device Package: TO-247-4L Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V Vgs (Max): +22V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1230 pF @ 800 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 9162 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|