Продукція > ONSEMI > NVH4L080N120SC1
NVH4L080N120SC1

NVH4L080N120SC1 ONSEMI

NVH4L080N120SC1-D.PDF Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVH4L080N120SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 29 A, 1.2 kV, 0.08 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 29A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.75V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
на замовлення 1317 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1352.56 грн
5+ 1279.16 грн
10+ 1205.77 грн
50+ 1115.47 грн
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NVH4L080N120SC1 ONSEMI

Description: SICFET N-CH 1200V 29A TO247-4, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-4, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 20A, 20V, Power Dissipation (Max): 170W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 5mA, Supplier Device Package: TO-247-4L, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V, Vgs (Max): +25V, -15V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 20 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1670 pF @ 800 V.

Інші пропозиції NVH4L080N120SC1 за ціною від 1162.98 грн до 1923.88 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
NVH4L080N120SC1 NVH4L080N120SC1 Виробник : onsemi NVH4L080N120SC1_D-2319402.pdf MOSFET SIC MOS TO247-4L 80MOHM 1200V
на замовлення 758 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1743.92 грн
10+ 1678.31 грн
25+ 1339.9 грн
50+ 1336.56 грн
100+ 1281.15 грн
250+ 1273.14 грн
450+ 1162.98 грн
NVH4L080N120SC1 NVH4L080N120SC1 Виробник : onsemi nvh4l080n120sc1-d.pdf Description: SICFET N-CH 1200V 29A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 20A, 20V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1670 pF @ 800 V
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1923.88 грн
10+ 1646.57 грн
100+ 1440.19 грн
NVH4L080N120SC1 Виробник : ON Semiconductor nvh4l080n120sc1-d.pdf
на замовлення 285 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NVH4L080N120SC1 NVH4L080N120SC1 Виробник : ON Semiconductor nvh4l080n120sc1-d.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 29A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній