Продукція > ONSEMI > NVH4L080N120SC1
NVH4L080N120SC1

NVH4L080N120SC1 ONSEMI

NVH4L080N120SC1-D.PDF Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVH4L080N120SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 29 A, 1.2 kV, 0.08 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 29A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.75V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1167 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+603.48 грн
5+602.65 грн
10+601.83 грн
50+558.08 грн
100+514.44 грн
250+513.74 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NVH4L080N120SC1 ONSEMI

Description: ONSEMI - NVH4L080N120SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 29 A, 1.2 kV, 0.08 ohm, TO-247, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 29A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.75V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 170W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: EliteSiC Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 20V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).

Інші пропозиції NVH4L080N120SC1 за ціною від 649.31 грн до 864.55 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NVH4L080N120SC1 NVH4L080N120SC1 Виробник : onsemi nvh4l080n120sc1-d.pdf SiC MOSFETs Silicon Carbide (SiC) MOSFET, N-Channel - EliteSiC, 80 mohm, 1200 V, M1, TO247-4L Silicon Carbide MOSFET, N?Channel, 1200 V, 80 m?, TO247?4L
на замовлення 689 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+796.29 грн
10+784.07 грн
30+667.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVH4L080N120SC1 NVH4L080N120SC1 Виробник : onsemi nvh4l080n120sc1-d.pdf Description: SICFET N-CH 1200V 29A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 20A, 20V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1670 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 51642 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+864.55 грн
30+649.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVH4L080N120SC1 Виробник : ON Semiconductor nvh4l080n120sc1-d.pdf
на замовлення 285 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVH4L080N120SC1 NVH4L080N120SC1 Виробник : ON Semiconductor nvh4l080n120sc1-d.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 29A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVH4L080N120SC1 Виробник : ONSEMI nvh4l080n120sc1-d.pdf NVH4L080N120SC1 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.