Продукція > ONSEMI > NVH4L080N120SC1
NVH4L080N120SC1

NVH4L080N120SC1 onsemi

nvh4l080n120sc1-d.pdf
Виробник: onsemi
SiC MOSFETs SIC MOS TO247-4L 80MOHM 1200V
на замовлення 689 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
1+839.34 грн
10+497.38 грн
120+431.80 грн
1020+407.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NVH4L080N120SC1 onsemi

Description: SICFET N-CH 1200V 29A TO247-4, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-4, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 20A, 20V, Power Dissipation (Max): 170W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 5mA, Supplier Device Package: TO-247-4L, Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V, Vgs (Max): +25V, -15V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 20 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1670 pF @ 800 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції NVH4L080N120SC1 за ціною від 647.07 грн до 861.58 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NVH4L080N120SC1 NVH4L080N120SC1 onsemi nvh4l080n120sc1-d.pdf Description: SICFET N-CH 1200V 29A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 20A, 20V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1670 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 51642 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+861.58 грн
30+647.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVH4L080N120SC1 ON Semiconductor nvh4l080n120sc1-d.pdf
на замовлення 285 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVH4L080N120SC1 nvh4l080n120sc1-d.pdf
NVH4L080N120SC1
Виробник: onsemi
Description: SICFET N-CH 1200V 29A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 20A, 20V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1670 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 51642 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+861.58 грн
30+647.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVH4L080N120SC1 nvh4l080n120sc1-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
на замовлення 285 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.