Продукція > ONSEMI > NVH4L095N065SC1
NVH4L095N065SC1

NVH4L095N065SC1 onsemi

NVH4L095N065SC1-D.PDF
Виробник: onsemi
SiC MOSFETs SIC MOS TO247-4L 650V
на замовлення 440 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NVH4L095N065SC1 onsemi

Description: ONSEMI - NVH4L095N065SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 31 A, 650 V, 0.105 ohm, TO-247, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 31A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.3V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, Verlustleistung: 129W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: EliteSiC Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.105ohm.

Інші пропозиції NVH4L095N065SC1

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
NVH4L095N065SC1 NVH4L095N065SC1 ONSEMI 4018415.pdf Description: ONSEMI - NVH4L095N065SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 31 A, 650 V, 0.105 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.3V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 129W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.105ohm
на замовлення 332 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVH4L095N065SC1 4018415.pdf
NVH4L095N065SC1
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVH4L095N065SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 31 A, 650 V, 0.105 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.3V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 129W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.105ohm
на замовлення 332 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.