на замовлення 197 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 519.60 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NVH4L160N120SC1 onsemi
Description: ONSEMI - NVH4L160N120SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 17.3 A, 1.2 kV, 0.16 ohm, TO-247, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 17.3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 111W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: EliteSiC Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 20V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).
Інші пропозиції NVH4L160N120SC1 за ціною від 438.42 грн до 821.21 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
NVH4L160N120SC1 | Виробник : ONSEMI |
 Description: ONSEMI - NVH4L160N120SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 17.3 A, 1.2 kV, 0.16 ohm, TO-247tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 17.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 111W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: EliteSiC Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 20V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 309 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
NVH4L160N120SC1 | Виробник : onsemi |
Description: SICFET N-CH 1200V 17.3A TO247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 224mOhm @ 12A, 20V Power Dissipation (Max): 111W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 2.5mA Supplier Device Package: TO-247-4L Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V Vgs (Max): +25V, -15V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 665 pF @ 800 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 1703 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| NVH4L160N120SC1 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 17.3A Automotive 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
| NVH4L160N120SC1 | Виробник : ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 12.3A; Idm: 69A; 55.5W Case: TO247-4 Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Kind of package: tube Mounting: THT Polarisation: unipolar Gate-source voltage: -5...20V Gate charge: 34nC On-state resistance: 377mΩ Drain current: 12.3A Power dissipation: 55.5W Pulsed drain current: 69A Drain-source voltage: 1.2kV Technology: SiC Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
| NVH4L160N120SC1 | Виробник : ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 12.3A; Idm: 69A; 55.5W Case: TO247-4 Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Kind of package: tube Mounting: THT Polarisation: unipolar Gate-source voltage: -5...20V Gate charge: 34nC On-state resistance: 377mΩ Drain current: 12.3A Power dissipation: 55.5W Pulsed drain current: 69A Drain-source voltage: 1.2kV Technology: SiC Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET |
товару немає в наявності |