Продукція > ONSEMI > NVH4L160N120SC1
NVH4L160N120SC1

NVH4L160N120SC1 ONSEMI

NVH4L160N120SC1-D.PDF Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVH4L160N120SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 17.3 A, 1.2 kV, 0.16 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 17.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 111W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 429 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+592.77 грн
5+591.13 грн
10+588.66 грн
50+440.35 грн
100+398.00 грн
250+390.24 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NVH4L160N120SC1 ONSEMI

Description: ONSEMI - NVH4L160N120SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 17.3 A, 1.2 kV, 0.16 ohm, TO-247, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 17.3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 111W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: EliteSiC Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 20V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).

Інші пропозиції NVH4L160N120SC1 за ціною від 477.04 грн до 797.07 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NVH4L160N120SC1 NVH4L160N120SC1 Виробник : onsemi NVH4L160N120SC1_D-2319403.pdf SiC MOSFETs SIC MOS TO247-4L 1200V 160MOHM AUTO PART
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+676.42 грн
10+651.56 грн
30+477.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVH4L160N120SC1 NVH4L160N120SC1 Виробник : onsemi nvh4l160n120sc1-d.pdf Description: SICFET N-CH 1200V 17.3A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 224mOhm @ 12A, 20V
Power Dissipation (Max): 111W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 2.5mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 665 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1703 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+797.07 грн
34+479.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVH4L160N120SC1 Виробник : ON Semiconductor nvh4l160n120sc1-d.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 17.3A Automotive 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVH4L160N120SC1 Виробник : ONSEMI nvh4l160n120sc1-d.pdf NVH4L160N120SC1 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.