Продукція > ONSEMI > NVHL015N065SC1
NVHL015N065SC1

NVHL015N065SC1 onsemi


nvhl015n065sc1-d.pdf Виробник: onsemi
Description: SIC MOS TO247-3L 650V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 163A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 75A, 12V
Power Dissipation (Max): 643W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 25mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 283 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4790 pF @ 325 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2664 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2564.33 грн
10+1832.03 грн
450+1813.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NVHL015N065SC1 onsemi

Description: SIC MOS TO247-3L 650V, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 163A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 75A, 12V, Power Dissipation (Max): 643W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 25mA, Supplier Device Package: TO-247-3, Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V, Vgs (Max): +22V, -8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 283 nC @ 18 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4790 pF @ 325 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції NVHL015N065SC1 за ціною від 2064.51 грн до 2772.78 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NVHL015N065SC1 NVHL015N065SC1 Виробник : onsemi NVHL015N065SC1-D.PDF SiC MOSFETs Silicon Carbide (SiC) MOSFET, N-Channel - EliteSiC, 12 mohm, 650V, M2, TO247-3L
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2772.78 грн
10+2064.51 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVHL015N065SC1 NVHL015N065SC1 Виробник : ON Semiconductor nvhl015n065sc1-d.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 650V 163A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVHL015N065SC1 Виробник : ON Semiconductor nvhl015n065sc1-d.pdf NVHL015N065SC1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVHL015N065SC1 Виробник : ONSEMI nvhl015n065sc1-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 115A; Idm: 484A; 321W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 115A
Pulsed drain current: 484A
Power dissipation: 321W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: -5...18V
On-state resistance: 16mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 283nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.