на замовлення 1008 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 2918.19 грн |
| 10+ | 2715.63 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NVHL020N120SC1 onsemi
Description: SICFET N-CH 1200V 103A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 103A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 60A, 20V, Power Dissipation (Max): 535W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 20mA, Supplier Device Package: TO-247-3, Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V, Vgs (Max): +25V, -15V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 203 nC @ 20 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2890 pF @ 800 V, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції NVHL020N120SC1 за ціною від 2375.31 грн до 4969.62 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
NVHL020N120SC1 | Виробник : ON Semiconductor |
 Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 103A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 61 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
|
|
NVHL020N120SC1 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 103A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 61 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
|
|
NVHL020N120SC1 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 103A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 330 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
 |
NVHL020N120SC1 | Виробник : onsemi |
Description: SICFET N-CH 1200V 103A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 103A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 60A, 20V Power Dissipation (Max): 535W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 20mA Supplier Device Package: TO-247-3 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V Vgs (Max): +25V, -15V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 203 nC @ 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2890 pF @ 800 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 39 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
|
|
NVHL020N120SC1 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 103A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 5 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
| NVHL020N120SC1 | Виробник : ON Semiconductor |
|
на замовлення 704 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||
| NVHL020N120SC1 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 103A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |
||||||||
|
|
NVHL020N120SC1 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 103A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101 |
товару немає в наявності |
|||||||
| NVHL020N120SC1 | Виробник : ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 73A; Idm: 267A; 267W Type of transistor: N-MOSFET Technology: SiC Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 73A Pulsed drain current: 267A Power dissipation: 267W Case: TO247-3 Gate-source voltage: -5...20V On-state resistance: 50mΩ Mounting: THT Gate charge: 203nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |