NVHL040N120SC1


nvhl040n120sc1-d.pdf
Код товару: 190306
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 1

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції NVHL040N120SC1 за ціною від 1050.19 грн до 2817.70 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
NVHL040N120SC1 NVHL040N120SC1 ON Semiconductor nvhl040n120sc1-d.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 60A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101
на замовлення 440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1488.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVHL040N120SC1 NVHL040N120SC1 ON Semiconductor nvhl040n120sc1-d.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 60A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101
на замовлення 440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+1488.35 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVHL040N120SC1 NVHL040N120SC1 onsemi nvhl040n120sc1-d.pdf Description: SICFET N-CH 1200V 60A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 35A, 20V
Power Dissipation (Max): 348W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 106 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1781 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2694 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1928.33 грн
30+1193.23 грн
120+1050.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVHL040N120SC1 NVHL040N120SC1 ON Semiconductor nvhl040n120sc1-d.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 60A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101
на замовлення 354 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2817.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVHL040N120SC1 NVHL040N120SC1 ON Semiconductor nvhl040n120sc1-d.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 60A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101
на замовлення 354 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+2817.70 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVHL040N120SC1 NVHL040N120SC1 onsemi nvhl040n120sc1-d.pdf SiC MOSFETs SIC MOS TO247-3L 40MOHM 1200V
на замовлення 205 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVHL040N120SC1 NVHL040N120SC1 ONSEMI nvhl040n120sc1-d.pdf Description: ONSEMI - NVHL040N120SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 60 A, 1.2 kV, 0.056 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.3V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 348W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.056ohm
на замовлення 439 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVHL040N120SC1 ON Semiconductor nvhl040n120sc1-d.pdf
на замовлення 290 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVHL040N120SC1 nvhl040n120sc1-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 60A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101
на замовлення 440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1488.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVHL040N120SC1 nvhl040n120sc1-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 60A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101
на замовлення 440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+1488.35 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVHL040N120SC1 nvhl040n120sc1-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: SICFET N-CH 1200V 60A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 35A, 20V
Power Dissipation (Max): 348W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 106 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1781 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2694 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1928.33 грн
30+1193.23 грн
120+1050.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVHL040N120SC1 nvhl040n120sc1-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 60A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101
на замовлення 354 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+2817.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVHL040N120SC1 nvhl040n120sc1-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 60A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101
на замовлення 354 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+2817.70 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVHL040N120SC1 nvhl040n120sc1-d.pdf
Виробник: onsemi
SiC MOSFETs SIC MOS TO247-3L 40MOHM 1200V
на замовлення 205 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVHL040N120SC1 nvhl040n120sc1-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVHL040N120SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 60 A, 1.2 kV, 0.056 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.3V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 348W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.056ohm
на замовлення 439 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVHL040N120SC1 nvhl040n120sc1-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
на замовлення 290 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.