
NVHL040N120SC1 onsemi

Description: SICFET N-CH 1200V 60A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 35A, 20V
Power Dissipation (Max): 348W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 106 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1781 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 625 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 1171.18 грн |
30+ | 1035.51 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NVHL040N120SC1 onsemi
Description: ONSEMI - NVHL040N120SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 60 A, 1.2 kV, 0.056 ohm, TO-247, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 60A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.3V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 348W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: EliteSiC Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 20V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.056ohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).
Інші пропозиції NVHL040N120SC1 за ціною від 1043.14 грн до 2430.26 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
NVHL040N120SC1 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 440 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
NVHL040N120SC1 | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 60A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.3V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 348W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: EliteSiC Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 20V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.056ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 665 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
NVHL040N120SC1 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 440 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
NVHL040N120SC1 | Виробник : onsemi |
![]() |
на замовлення 294 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
NVHL040N120SC1 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 354 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
NVHL040N120SC1 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 354 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
NVHL040N120SC1 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 290 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||
NVHL040N120SC1 Код товару: 190306
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
товару немає в наявності
|
|||||||||||||||
![]() |
NVHL040N120SC1 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
![]() |
NVHL040N120SC1 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
NVHL040N120SC1 | Виробник : ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |