Продукція > ON SEMICONDUCTOR > NVHL060N090SC1
NVHL060N090SC1

NVHL060N090SC1 ON Semiconductor

nvhl060n090sc1-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 900V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101
на замовлення 75150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
30+938.54 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NVHL060N090SC1 ON Semiconductor

Description: ONSEMI - NVHL060N090SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, n-Kanal, 46 A, 900 V, 0.043 ohm, TO-247, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 900V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 46A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.3V, MOSFET-Modul-Konfiguration: -, euEccn: NLR, Verlustleistung: 221W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: EliteSiC Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.043ohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).

Інші пропозиції NVHL060N090SC1 за ціною від 698.96 грн до 1028.33 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
NVHL060N090SC1 NVHL060N090SC1 ON Semiconductor nvhl060n090sc1-d.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 900V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101
на замовлення 75150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+960.56 грн
150+938.54 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVHL060N090SC1 NVHL060N090SC1 onsemi NVHL060N090SC1-D.PDF Description: SICFET N-CH 900V 46A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 84mOhm @ 20A, 15V
Power Dissipation (Max): 221W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1770 pF @ 450 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 59563 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1028.33 грн
75+698.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVHL060N090SC1 NVHL060N090SC1 onsemi NVHL060N090SC1-D.PDF SiC MOSFETs 60MOHM
на замовлення 244 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVHL060N090SC1 NVHL060N090SC1 ONSEMI NVHL060N090SC1-D.PDF Description: ONSEMI - NVHL060N090SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, n-Kanal, 46 A, 900 V, 0.043 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 46A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.3V
MOSFET-Modul-Konfiguration: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 221W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.043ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVHL060N090SC1 ON Semiconductor NVHL060N090SC1-D.PDF
на замовлення 292 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVHL060N090SC1 nvhl060n090sc1-d.pdf
NVHL060N090SC1
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 900V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101
на замовлення 75150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
30+960.56 грн
150+938.54 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVHL060N090SC1 NVHL060N090SC1-D.PDF
NVHL060N090SC1
Виробник: onsemi
Description: SICFET N-CH 900V 46A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 84mOhm @ 20A, 15V
Power Dissipation (Max): 221W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1770 pF @ 450 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 59563 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1028.33 грн
75+698.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVHL060N090SC1 NVHL060N090SC1-D.PDF
NVHL060N090SC1
Виробник: onsemi
SiC MOSFETs 60MOHM
на замовлення 244 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVHL060N090SC1 NVHL060N090SC1-D.PDF
NVHL060N090SC1
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVHL060N090SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, n-Kanal, 46 A, 900 V, 0.043 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 46A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.3V
MOSFET-Modul-Konfiguration: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 221W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.043ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVHL060N090SC1 NVHL060N090SC1-D.PDF
Виробник: ON Semiconductor
на замовлення 292 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.