Продукція > ON SEMICONDUCTOR > NVHL060N090SC1
NVHL060N090SC1

NVHL060N090SC1 ON Semiconductor

nvhl060n090sc1-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET,60mohm,900V Automotive AEC-Q101
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
450+1925.46 грн
Мінімальне замовлення: 450
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NVHL060N090SC1 ON Semiconductor

Description: SICFET N-CH 900V 46A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 84mOhm @ 20A, 15V, Power Dissipation (Max): 221W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 5mA, Supplier Device Package: TO-247-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, Vgs (Max): +19V, -10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 15 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1770 pF @ 450 V.

Інші пропозиції NVHL060N090SC1 за ціною від 1166.79 грн до 2119.91 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
NVHL060N090SC1 NVHL060N090SC1 Виробник : onsemi Description: SICFET N-CH 900V 46A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 84mOhm @ 20A, 15V
Power Dissipation (Max): 221W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1770 pF @ 450 V
на замовлення 1754 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1946.28 грн
10+ 1665.79 грн
100+ 1457 грн
500+ 1166.79 грн
NVHL060N090SC1 NVHL060N090SC1 Виробник : ONSEMI NVHL060N090SC1-D.PDF Description: ONSEMI - NVHL060N090SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, n-Kanal, 46 A, 900 V, 0.043 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 46A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.3V
MOSFET-Modul-Konfiguration: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 221W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.043ohm
на замовлення 270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+2038.37 грн
5+ 1864.25 грн
10+ 1690.12 грн
50+ 1471.01 грн
100+ 1286.73 грн
NVHL060N090SC1 NVHL060N090SC1 Виробник : onsemi NVHL060N090SC1_D-2319490.pdf MOSFET 60MOHM
на замовлення 396 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+2119.91 грн
10+ 1856.43 грн
30+ 1506.62 грн
60+ 1412.17 грн
120+ 1337.53 грн
270+ 1211.38 грн
NVHL060N090SC1 Виробник : ON Semiconductor
на замовлення 292 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NVHL060N090SC1 NVHL060N090SC1 Виробник : ON Semiconductor nvhl060n090sc1-d.pdf Silicon Carbide MOSFET,60mohm,900V Automotive AEC-Q101
товар відсутній
NVHL060N090SC1 NVHL060N090SC1 Виробник : ON Semiconductor nvhl060n090sc1-d.pdf SiC Power, Single N-Channel 900 V, 60 m, 46 A
товар відсутній