Продукція > ONSEMI > NVHL070N120M3S
NVHL070N120M3S

NVHL070N120M3S onsemi

nvhl070n120m3s-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: SIC MOS TO247-3L 70MOHM 1200V M3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 87mOhm @ 15A, 18V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 7mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1230 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 323 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1162.09 грн
10+790.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NVHL070N120M3S onsemi

Description: ONSEMI - NVHL070N120M3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 34 A, 1.2 kV, 0.087 ohm, TO-247, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 34A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.4V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, Verlustleistung: 160W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: EliteSiC Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.087ohm.

Інші пропозиції NVHL070N120M3S

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
NVHL070N120M3S NVHL070N120M3S ONSEMI 4073643.pdf Description: ONSEMI - NVHL070N120M3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 34 A, 1.2 kV, 0.087 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 34A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 160W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.087ohm
на замовлення 301 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVHL070N120M3S NVHL070N120M3S onsemi nvhl070n120m3s-d.pdf SiC MOSFETs SIC MOS TO247-3L 70MOHM 1200V M3
на замовлення 439 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVHL070N120M3S 4073643.pdf
NVHL070N120M3S
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVHL070N120M3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 34 A, 1.2 kV, 0.087 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 34A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 160W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.087ohm
на замовлення 301 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVHL070N120M3S nvhl070n120m3s-d.pdf
NVHL070N120M3S
Виробник: onsemi
SiC MOSFETs SIC MOS TO247-3L 70MOHM 1200V M3
на замовлення 439 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.