Продукція > ON SEMICONDUCTOR > NVHL075N065SC1
NVHL075N065SC1

NVHL075N065SC1 ON Semiconductor

nvhl075n065sc1-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 38A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
450+864.71 грн
Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 450 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NVHL075N065SC1 ON Semiconductor

Description: ONSEMI - NVHL075N065SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 38 A, 650 V, 0.085 ohm, TO-247, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 38A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.3V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, Verlustleistung: 148W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: EliteSiC Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm.

Інші пропозиції NVHL075N065SC1 за ціною від 495.26 грн до 985.26 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
NVHL075N065SC1 NVHL075N065SC1 onsemi nvhl075n065sc1-d.pdf Description: SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET, NC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 15A, 18V
Power Dissipation (Max): 148W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1196 pF @ 325 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 407 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+985.26 грн
30+576.78 грн
120+495.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVHL075N065SC1 NVHL075N065SC1 onsemi nvhl075n065sc1-d.pdf SiC MOSFETs SIC MOS TO247-3L 650V 75MOHM
на замовлення 366 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVHL075N065SC1 NVHL075N065SC1 ONSEMI 4018416.pdf Description: ONSEMI - NVHL075N065SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 38 A, 650 V, 0.085 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.3V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 148W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm
на замовлення 316 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVHL075N065SC1 nvhl075n065sc1-d.pdf
NVHL075N065SC1
Виробник: onsemi
Description: SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET, NC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 15A, 18V
Power Dissipation (Max): 148W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1196 pF @ 325 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 407 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+985.26 грн
30+576.78 грн
120+495.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVHL075N065SC1 nvhl075n065sc1-d.pdf
NVHL075N065SC1
Виробник: onsemi
SiC MOSFETs SIC MOS TO247-3L 650V 75MOHM
на замовлення 366 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVHL075N065SC1 4018416.pdf
NVHL075N065SC1
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVHL075N065SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 38 A, 650 V, 0.085 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.3V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 148W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm
на замовлення 316 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.