Продукція > ON SEMICONDUCTOR > NVHL075N065SC1
NVHL075N065SC1

NVHL075N065SC1 ON Semiconductor

nvhl075n065sc1-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 38A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
450+862.78 грн
Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NVHL075N065SC1 ON Semiconductor

Description: SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET, NC, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 15A, 18V, Power Dissipation (Max): 148W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 5mA, Supplier Device Package: TO-247-3, Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V, Vgs (Max): +22V, -8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 18 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1196 pF @ 325 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції NVHL075N065SC1 за ціною від 494.16 грн до 983.06 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
NVHL075N065SC1 NVHL075N065SC1 onsemi nvhl075n065sc1-d.pdf Description: SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET, NC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 15A, 18V
Power Dissipation (Max): 148W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1196 pF @ 325 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 407 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+983.06 грн
30+575.50 грн
120+494.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVHL075N065SC1 NVHL075N065SC1 onsemi nvhl075n065sc1-d.pdf SiC MOSFETs SIC MOS TO247-3L 650V 75MOHM
на замовлення 366 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVHL075N065SC1 NVHL075N065SC1 ONSEMI 4018416.pdf Description: ONSEMI - NVHL075N065SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 38 A, 650 V, 0.085 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.3V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 148W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVHL075N065SC1 nvhl075n065sc1-d.pdf
NVHL075N065SC1
Виробник: onsemi
Description: SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET, NC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 15A, 18V
Power Dissipation (Max): 148W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1196 pF @ 325 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 407 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+983.06 грн
30+575.50 грн
120+494.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVHL075N065SC1 nvhl075n065sc1-d.pdf
NVHL075N065SC1
Виробник: onsemi
SiC MOSFETs SIC MOS TO247-3L 650V 75MOHM
на замовлення 366 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVHL075N065SC1 4018416.pdf
NVHL075N065SC1
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVHL075N065SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 38 A, 650 V, 0.085 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.3V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 148W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.