Інші пропозиції NVHL080N120SC1 за ціною від 620.64 грн до 1018.83 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
NVHL080N120SC1 | onsemi |
 Description: SICFET N-CH 1200V 44A TO247-3Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1670 pF @ 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 20 V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Vgs (Max): +25V, -15V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V Part Status: Not For New Designs Supplier Device Package: TO-247-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 5mA Power Dissipation (Max): 348W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 20A, 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: SiCFET (Silicon Carbide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-247-3 Packaging: Tube |
на замовлення 134411 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
 |
NVHL080N120SC1 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 44A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 450 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
 |
NVHL080N120SC1 | onsemi |
SiC MOSFETs SIC MOS 80MW 1200 V 80 mOhms 44A |
на замовлення 1182 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||
 |
NVHL080N120SC1 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NVHL080N120SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 44 A, 1.2 kV, 0.08 ohm, TO-247 tariffCode: 85413000 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 44A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 348W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: EliteSiC Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 20V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 2049 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||
| NVHL080N120SC1 | ON Semiconductor |
|
на замовлення 116 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| NVHL080N120SC1 |
|
Виробник: onsemi
Description: SICFET N-CH 1200V 44A TO247-3
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1670 pF @ 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 20 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): +25V, -15V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: TO-247-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 5mA
Power Dissipation (Max): 348W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 20A, 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Description: SICFET N-CH 1200V 44A TO247-3
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1670 pF @ 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 20 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): +25V, -15V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: TO-247-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 5mA
Power Dissipation (Max): 348W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 20A, 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
на замовлення 134411 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 957.54 грн |
| 10+ | 653.98 грн |
| 450+ | 620.64 грн |
| NVHL080N120SC1 |
|
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 44A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 44A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 450+ | 1018.83 грн |
| NVHL080N120SC1 |
|
Виробник: onsemi
SiC MOSFETs SIC MOS 80MW 1200 V 80 mOhms 44A
SiC MOSFETs SIC MOS 80MW 1200 V 80 mOhms 44A
на замовлення 1182 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| NVHL080N120SC1 |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVHL080N120SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 44 A, 1.2 kV, 0.08 ohm, TO-247
tariffCode: 85413000
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 348W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - NVHL080N120SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 44 A, 1.2 kV, 0.08 ohm, TO-247
tariffCode: 85413000
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 348W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2049 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| NVHL080N120SC1 |
|
Виробник: ON Semiconductor
на замовлення 116 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)