Продукція > ONSEMI > NVHL080N120SC1
NVHL080N120SC1

NVHL080N120SC1 ONSEMI

NVHL080N120SC1-D.PDF Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVHL080N120SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 44 A, 1.2 kV, 0.08 ohm, TO-247
tariffCode: 85413000
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 348W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
на замовлення 2242 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1631.16 грн
5+ 1503.84 грн
10+ 1375.77 грн
50+ 1237.87 грн
100+ 1105.41 грн
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NVHL080N120SC1 ONSEMI

Description: SICFET N-CH 1200V 44A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 20A, 20V, Power Dissipation (Max): 348W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 5mA, Supplier Device Package: TO-247-3, Part Status: Not For New Designs, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V, Vgs (Max): +25V, -15V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 20 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1670 pF @ 800 V.

Інші пропозиції NVHL080N120SC1 за ціною від 1233.08 грн до 2157.5 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
NVHL080N120SC1 NVHL080N120SC1 Виробник : ON Semiconductor nvhl080n120sc1-d.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 44A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
450+1900.74 грн
Мінімальне замовлення: 450
NVHL080N120SC1 NVHL080N120SC1 Виробник : onsemi NVHL080N120SC1_D-2319432.pdf MOSFET SIC MOS 80MW 1200 V 80 mOhms 44A
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+2157.5 грн
10+ 1890.21 грн
25+ 1454.73 грн
50+ 1428.02 грн
100+ 1338.56 грн
250+ 1325.88 грн
450+ 1233.08 грн
NVHL080N120SC1 Виробник : ON Semiconductor nvhl080n120sc1-d.pdf
на замовлення 116 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NVHL080N120SC1
Код товару: 178409 		nvhl080n120sc1-d.pdf Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
NVHL080N120SC1 NVHL080N120SC1 Виробник : ON Semiconductor nvhl080n120sc1-d.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 44A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
NVHL080N120SC1 NVHL080N120SC1 Виробник : onsemi nvhl080n120sc1-d.pdf Description: SICFET N-CH 1200V 44A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 20A, 20V
Power Dissipation (Max): 348W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1670 pF @ 800 V
товар відсутній