Інші пропозиції NVHL080N120SC1 за ціною від 634.34 грн до 1136.41 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
NVHL080N120SC1 | onsemi |
 Description: SICFET N-CH 1200V 44A TO247-3Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1670 pF @ 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 20 V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Vgs (Max): +25V, -15V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V Part Status: Not For New Designs Supplier Device Package: TO-247-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 5mA Power Dissipation (Max): 348W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 20A, 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: SiCFET (Silicon Carbide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-247-3 Packaging: Tube |
на замовлення 134411 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
NVHL080N120SC1 | onsemi |
SiC MOSFETs SIC MOS 80MW 1200 V 80 mOhms 44A |
на замовлення 1182 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||
| NVHL080N120SC1 | ON Semiconductor |
|
на замовлення 116 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| NVHL080N120SC1 |
|
Виробник: onsemi
Description: SICFET N-CH 1200V 44A TO247-3
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1670 pF @ 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 20 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): +25V, -15V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: TO-247-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 5mA
Power Dissipation (Max): 348W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 20A, 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Description: SICFET N-CH 1200V 44A TO247-3
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1670 pF @ 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 20 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): +25V, -15V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: TO-247-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 5mA
Power Dissipation (Max): 348W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 20A, 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
на замовлення 134411 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 986.40 грн |
| 10+ | 673.69 грн |
| 450+ | 639.34 грн |
| NVHL080N120SC1 |
|
Виробник: onsemi
SiC MOSFETs SIC MOS 80MW 1200 V 80 mOhms 44A
SiC MOSFETs SIC MOS 80MW 1200 V 80 mOhms 44A
на замовлення 1182 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1136.41 грн |
| 10+ | 808.93 грн |
| 120+ | 664.65 грн |
| 510+ | 634.34 грн |
| NVHL080N120SC1 |
|
Виробник: ON Semiconductor
на замовлення 116 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)