Продукція > ONSEMI > NVHL160N120SC1
NVHL160N120SC1

NVHL160N120SC1 ONSEMI

NVHL160N120SC1-D.PDF Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVHL160N120SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 17 A, 1.2 kV, 0.162 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 119W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.162ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 803 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+585.97 грн
5+585.12 грн
10+584.26 грн
50+474.91 грн
100+429.57 грн
250+428.83 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NVHL160N120SC1 ONSEMI

Description: ONSEMI - NVHL160N120SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 17 A, 1.2 kV, 0.162 ohm, TO-247, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 17A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 119W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: EliteSiC Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 20V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.162ohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).

Інші пропозиції NVHL160N120SC1 за ціною від 427.64 грн до 722.00 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NVHL160N120SC1 NVHL160N120SC1 Виробник : onsemi NVHL160N120SC1-D.PDF SiC MOSFETs SIC MOS TO247-3L 160MOHM 1200V
на замовлення 2564 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+661.09 грн
10+491.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVHL160N120SC1 NVHL160N120SC1 Виробник : onsemi nvhl160n120sc1-d.pdf Description: SICFET N-CH 1200V 17A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 224mOhm @ 12A, 20V
Power Dissipation (Max): 119W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 2.5mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 665 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 11659 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+722.00 грн
30+443.49 грн
120+427.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVHL160N120SC1 Виробник : ON Semiconductor nvhl160n120sc1-d.pdf
на замовлення 410 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVHL160N120SC1 Виробник : ON Semiconductor nvhl160n120sc1-d.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 17A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVHL160N120SC1 Виробник : ONSEMI nvhl160n120sc1-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 12A; Idm: 69A; 59W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 69A
Power dissipation: 59W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: -5...20V
On-state resistance: 337mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 34nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.