Технічний опис NVJD4152PT1G ON Semiconductor
MOSFETs Dual P-Channel Trench Small Signal ESD Protected MOSFET 20V, 0.88A, 260mohm.
Інші пропозиції NVJD4152PT1G
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| NVJD4152PT1G | onsemi | MOSFETs Dual P-Channel Trench Small Signal ESD Protected MOSFET 20V, 0.88A, 260mohm |
на замовлення 2077 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| NVJD4152PT1G |
Виробник: onsemi
MOSFETs Dual P-Channel Trench Small Signal ESD Protected MOSFET 20V, 0.88A, 260mohm
MOSFETs Dual P-Channel Trench Small Signal ESD Protected MOSFET 20V, 0.88A, 260mohm
на замовлення 2077 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)

