Продукція > ONSEMI > NVJD4401NT1G
NVJD4401NT1G

NVJD4401NT1G onsemi

ntjd4401n-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.63A SC88
на замовлення 2958 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+65.86 грн
10+39.35 грн
50+28.88 грн
100+23.94 грн
500+18.35 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 5 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NVJD4401NT1G onsemi

Description: ONSEMI - NVJD4401NT1G - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 630 mA, 630 mA, 0.375 ohm, tariffCode: 85412100, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 630mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 630mA, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: 550mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-363, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.375ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 550mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

Інші пропозиції NVJD4401NT1G за ціною від 14.97 грн до 86.81 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
NVJD4401NT1G NVJD4401NT1G onsemi ntjd4401n-d.pdf MOSFETs NFET SC88 20V 630MA 375MO
на замовлення 425 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
4+86.81 грн
10+61.60 грн
100+33.33 грн
500+22.95 грн
1000+19.26 грн
3000+17.30 грн
6000+14.97 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVJD4401NT1G NVJD4401NT1G ONSEMI 2160754.pdf Description: ONSEMI - NVJD4401NT1G - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 630 mA, 630 mA, 0.375 ohm
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 630mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 630mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 550mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.375ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 550mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2318 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVJD4401NT1G NVJD4401NT1G ONSEMI 2160754.pdf Description: ONSEMI - NVJD4401NT1G - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 630 mA, 630 mA, 0.29 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 630mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 630mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.29ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 550mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.29ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 550mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVJD4401NT1G ntjd4401n-d.pdf
NVJD4401NT1G
Виробник: onsemi
MOSFETs NFET SC88 20V 630MA 375MO
на замовлення 425 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+86.81 грн
10+61.60 грн
100+33.33 грн
500+22.95 грн
1000+19.26 грн
3000+17.30 грн
6000+14.97 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVJD4401NT1G 2160754.pdf
NVJD4401NT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVJD4401NT1G - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 630 mA, 630 mA, 0.375 ohm
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 630mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 630mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 550mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.375ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 550mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2318 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVJD4401NT1G 2160754.pdf
NVJD4401NT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVJD4401NT1G - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 630 mA, 630 mA, 0.29 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 630mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 630mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.29ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 550mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.29ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 550mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.