Продукція > ONSEMI > NVJD4401NT1G
NVJD4401NT1G

NVJD4401NT1G onsemi

ntjd4401n-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.63A SC88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 270mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 630mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 375mOhm @ 630mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+11.17 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NVJD4401NT1G onsemi

Description: ONSEMI - NVJD4401NT1G - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 630 mA, 630 mA, 0.29 ohm, tariffCode: 85412100, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 630mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 630mA, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.29ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 550mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-363, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.29ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 550mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).

Інші пропозиції NVJD4401NT1G за ціною від 10.09 грн до 49.16 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
NVJD4401NT1G NVJD4401NT1G Виробник : ONSEMI 2160754.pdf Description: ONSEMI - NVJD4401NT1G - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 630 mA, 630 mA, 0.29 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 630
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 630
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.29
Verlustleistung, p-Kanal: 550
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20
euEccn: NLR
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.29
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 550
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 1980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+27.34 грн
500+ 15.75 грн
Мінімальне замовлення: 100
NVJD4401NT1G NVJD4401NT1G Виробник : onsemi ntjd4401n-d.pdf Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.63A SC88
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 270mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 630mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 375mOhm @ 630mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 50269 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11+28.09 грн
13+ 22.89 грн
100+ 15.88 грн
500+ 11.64 грн
1000+ 10.09 грн
Мінімальне замовлення: 11
NVJD4401NT1G NVJD4401NT1G Виробник : onsemi NTJD4401N_D-2318915.pdf MOSFET NFET SC88 20V 630MA 375MO
на замовлення 9999 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+42.65 грн
10+ 36.15 грн
100+ 21.84 грн
500+ 17.11 грн
1000+ 13.85 грн
3000+ 11.92 грн
Мінімальне замовлення: 8
NVJD4401NT1G NVJD4401NT1G Виробник : ONSEMI 2160754.pdf Description: ONSEMI - NVJD4401NT1G - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 630 mA, 630 mA, 0.29 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 630mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 630mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.29ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 550mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.29ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 550mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2085 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
16+49.16 грн
20+ 37.5 грн
100+ 26.22 грн
500+ 20.19 грн
1000+ 14.41 грн
Мінімальне замовлення: 16
NVJD4401NT1G NVJD4401NT1G Виробник : ONSEMI ntjd4401n-d.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 0.46A; 0.14W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.46A
Power dissipation: 0.14W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.375Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 3000 шт
товар відсутній
NVJD4401NT1G NVJD4401NT1G Виробник : ONSEMI ntjd4401n-d.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 0.46A; 0.14W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.46A
Power dissipation: 0.14W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.375Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній