Продукція > ONSEMI > NVJD4401NT1G
NVJD4401NT1G

NVJD4401NT1G onsemi

ntjd4401n-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.63A SC88
Part Status: Active
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 375mOhm @ 630mA, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46pF @ 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 630mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 270mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+14.50 грн
6000+12.84 грн
9000+12.26 грн
15000+10.90 грн
21000+10.54 грн
30000+10.39 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NVJD4401NT1G onsemi

Description: ONSEMI - NVJD4401NT1G - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 630 mA, 630 mA, 0.375 ohm, tariffCode: 85412100, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 630mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 630mA, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: 550mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-363, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.375ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 550mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

Інші пропозиції NVJD4401NT1G за ціною від 11.42 грн до 62.25 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
NVJD4401NT1G NVJD4401NT1G onsemi ntjd4401n-d.pdf MOSFETs NFET SC88 20V 630MA 375MO
на замовлення 7925 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+47.36 грн
10+33.72 грн
100+21.43 грн
500+16.56 грн
1000+14.94 грн
3000+12.40 грн
6000+11.42 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVJD4401NT1G NVJD4401NT1G onsemi ntjd4401n-d.pdf Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.63A SC88
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 270mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Part Status: Active
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 375mOhm @ 630mA, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46pF @ 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 630mA
на замовлення 42376 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+60.26 грн
10+36.12 грн
100+23.43 грн
500+16.86 грн
1000+15.21 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVJD4401NT1G NVJD4401NT1G ONSEMI 2160754.pdf Description: ONSEMI - NVJD4401NT1G - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 630 mA, 630 mA, 0.375 ohm
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 630mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 630mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 550mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.375ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 550mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2643 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+62.25 грн
22+38.73 грн
100+25.16 грн
500+17.94 грн
1000+14.94 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVJD4401NT1G ntjd4401n-d.pdf
NVJD4401NT1G
Виробник: onsemi
MOSFETs NFET SC88 20V 630MA 375MO
на замовлення 7925 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
7+47.36 грн
10+33.72 грн
100+21.43 грн
500+16.56 грн
1000+14.94 грн
3000+12.40 грн
6000+11.42 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVJD4401NT1G ntjd4401n-d.pdf
NVJD4401NT1G
Виробник: onsemi
Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.63A SC88
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 270mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Part Status: Active
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 375mOhm @ 630mA, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46pF @ 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 630mA
на замовлення 42376 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
6+60.26 грн
10+36.12 грн
100+23.43 грн
500+16.86 грн
1000+15.21 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVJD4401NT1G 2160754.pdf
NVJD4401NT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVJD4401NT1G - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 630 mA, 630 mA, 0.375 ohm
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 630mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 630mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 550mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.375ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 550mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2643 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
14+62.25 грн
22+38.73 грн
100+25.16 грн
500+17.94 грн
1000+14.94 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.