Продукція > ONSEMI > NVJD5121NT1G-M06
NVJD5121NT1G-M06

NVJD5121NT1G-M06 onsemi

ntjd5121n-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.295A SC88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 250mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 295mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 26pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+6.74 грн
6000+5.87 грн
9000+5.56 грн
15000+4.89 грн
21000+4.69 грн
30000+4.50 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NVJD5121NT1G-M06 onsemi

Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.295A SC88, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 250mW (Ta), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 295mA (Ta), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 26pF @ 20V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9nC @ 4.5V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363, Part Status: Active.

Інші пропозиції NVJD5121NT1G-M06 за ціною від 4.55 грн до 33.61 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NVJD5121NT1G-M06 NVJD5121NT1G-M06 Виробник : onsemi ntjd5121n-d.pdf Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.295A SC88
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 250mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 295mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 26pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 39910 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+31.17 грн
18+18.48 грн
100+11.63 грн
500+8.14 грн
1000+7.24 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
NVJD5121NT1G-M06 Виробник : onsemi NTJD5121N_D-2318540.pdf RF MOSFET Transistors NFET SC88 60V 295MA 1.6OH
на замовлення 29550 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
11+33.61 грн
18+20.14 грн
100+8.26 грн
1000+6.60 грн
3000+5.54 грн
9000+4.70 грн
24000+4.55 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
NVJD5121NT1G-M06 Виробник : ON Semiconductor ntjd5121n-d.pdf Dual N-Channel Power MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.