Продукція > ONSEMI > NVJD5121NT1G
NVJD5121NT1G

NVJD5121NT1G onsemi

ntjd5121n-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.295A SC88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 250mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 295mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 26pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+5.69 грн
6000+5.01 грн
9000+4.77 грн
15000+4.22 грн
21000+4.06 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NVJD5121NT1G onsemi

Description: ONSEMI - NVJD5121NT1G - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 295 mA, 295 mA, 1 ohm, tariffCode: 85412100, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 295mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 295mA, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 250mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-363, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 250mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції NVJD5121NT1G за ціною від 4.03 грн до 32.68 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NVJD5121NT1G NVJD5121NT1G Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0013576913-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NVJD5121NT1G - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 295 mA, 295 mA, 1 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 295mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 295mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 250mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 250mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 20050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+9.35 грн
1000+5.48 грн
5000+4.75 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
NVJD5121NT1G NVJD5121NT1G Виробник : ON Semiconductor ntjd5121n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.295A 6-Pin SC-88 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 15322 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
59+10.40 грн
97+6.28 грн
98+6.22 грн
102+5.75 грн
250+5.10 грн
500+4.68 грн
1000+4.47 грн
3000+4.25 грн
6000+4.03 грн
Мінімальне замовлення: 59
В кошику  од. на суму  грн.
NVJD5121NT1G NVJD5121NT1G Виробник : ONSEMI ntjd5121n-d.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 0.212A; 0.25W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.212A
On-state resistance: 1.6Ω
Type of transistor: N-MOSFET x2
Power dissipation: 0.25W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
22+18.98 грн
43+8.97 грн
100+6.44 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
NVJD5121NT1G NVJD5121NT1G Виробник : onsemi NTJD5121N_D-1814098.pdf MOSFETs NFET SC88 60V 295MA 1.6OH
на замовлення 27040 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
17+21.20 грн
28+12.52 грн
100+6.62 грн
1000+5.96 грн
3000+4.93 грн
9000+4.19 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
NVJD5121NT1G NVJD5121NT1G Виробник : onsemi ntjd5121n-d.pdf Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.295A SC88
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 250mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 295mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 26pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 27788 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
15+21.49 грн
23+13.64 грн
100+9.21 грн
500+6.66 грн
1000+6.00 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
NVJD5121NT1G NVJD5121NT1G Виробник : ONSEMI ntjd5121n-d.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 0.212A; 0.25W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.212A
On-state resistance: 1.6Ω
Type of transistor: N-MOSFET x2
Power dissipation: 0.25W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
14+22.78 грн
26+11.17 грн
100+7.72 грн
377+7.45 грн
500+7.17 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
NVJD5121NT1G NVJD5121NT1G Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0013576913-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NVJD5121NT1G - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 295 mA, 295 mA, 1 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 295mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 295mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 250mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 250mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 20050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
26+32.68 грн
34+24.59 грн
100+13.70 грн
500+9.35 грн
1000+5.48 грн
5000+4.75 грн
Мінімальне замовлення: 26
В кошику  од. на суму  грн.
NVJD5121NT1G Виробник : Aptina Imaging ntjd5121n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A Automotive 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 15322 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2547+4.79 грн
Мінімальне замовлення: 2547
В кошику  од. на суму  грн.
NVJD5121NT1G NVJD5121NT1G Виробник : ON Semiconductor ntjd5121n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.295A 6-Pin SC-88 T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.