Продукція > ONSEMI > NVJD5121NT1G
NVJD5121NT1G

NVJD5121NT1G onsemi

ntjd5121n-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.295A SC88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 250mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 295mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 26pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+5.91 грн
6000+5.16 грн
9000+4.88 грн
15000+4.29 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NVJD5121NT1G onsemi

Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.295A SC88, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 250mW, Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 295mA, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 26pF @ 20V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9nC @ 4.5V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363, Part Status: Active, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції NVJD5121NT1G за ціною від 4.21 грн до 27.18 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
NVJD5121NT1G NVJD5121NT1G onsemi C60A644EE3CEB23315247D71166053F973BDA7D91297199DFBE9A94D7D54454A.pdf MOSFETs NFET SC88 60V 295MA 1.6OH
на замовлення 43645 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
22+15.22 грн
39+8.18 грн
100+5.45 грн
500+5.32 грн
3000+4.21 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVJD5121NT1G NVJD5121NT1G ONSEMI ntjd5121n-d.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 0.212A; 0.25W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 0.25W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 60V
Kind of channel: enhancement
Drain current: 0.212A
On-state resistance: 1.6Ω
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 3026 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
27+17.00 грн
33+12.96 грн
37+11.47 грн
100+8.14 грн
500+6.81 грн
1000+6.23 грн
3000+5.90 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVJD5121NT1G NVJD5121NT1G onsemi ntjd5121n-d.pdf Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.295A SC88
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 250mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 295mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 26pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 20907 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+27.18 грн
19+16.23 грн
100+10.21 грн
500+7.14 грн
1000+6.35 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVJD5121NT1G C60A644EE3CEB23315247D71166053F973BDA7D91297199DFBE9A94D7D54454A.pdf
NVJD5121NT1G
Виробник: onsemi
MOSFETs NFET SC88 60V 295MA 1.6OH
на замовлення 43645 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
22+15.22 грн
39+8.18 грн
100+5.45 грн
500+5.32 грн
3000+4.21 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVJD5121NT1G ntjd5121n-d.pdf
NVJD5121NT1G
Виробник: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 0.212A; 0.25W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 0.25W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 60V
Kind of channel: enhancement
Drain current: 0.212A
On-state resistance: 1.6Ω
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 3026 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
27+17.00 грн
33+12.96 грн
37+11.47 грн
100+8.14 грн
500+6.81 грн
1000+6.23 грн
3000+5.90 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVJD5121NT1G ntjd5121n-d.pdf
NVJD5121NT1G
Виробник: onsemi
Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.295A SC88
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 250mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 295mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 26pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 20907 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
12+27.18 грн
19+16.23 грн
100+10.21 грн
500+7.14 грн
1000+6.35 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.