Продукція > ONSEMI > NVJD5121NT1G
NVJD5121NT1G

NVJD5121NT1G onsemi

ntjd5121n-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.295A SC88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 250mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 295mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 26pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+6.49 грн
6000+5.66 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 3000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NVJD5121NT1G onsemi

Description: ONSEMI - NVJD5121NT1G - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 295 mA, 295 mA, 1 ohm, tariffCode: 85412100, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 295mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 295mA, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 250mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-363, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 250mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

Інші пропозиції NVJD5121NT1G за ціною від 5.07 грн до 29.78 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
NVJD5121NT1G NVJD5121NT1G ON Semiconductor ntjd5121n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.295A 6-Pin SC-88 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30000+6.76 грн
Мінімальне замовлення: 30000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVJD5121NT1G NVJD5121NT1G ON Semiconductor ntjd5121n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.295A 6-Pin SC-88 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30000+6.78 грн
Мінімальне замовлення: 30000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVJD5121NT1G NVJD5121NT1G ON Semiconductor ntjd5121n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.295A 6-Pin SC-88 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2957 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1581+8.95 грн
1729+8.18 грн
1904+7.43 грн
2119+6.44 грн
2393+5.28 грн
Мінімальне замовлення: 1581 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVJD5121NT1G NVJD5121NT1G ON Semiconductor ntjd5121n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.295A 6-Pin SC-88 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2957 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
51+14.94 грн
84+9.04 грн
85+8.95 грн
100+7.89 грн
250+6.63 грн
500+5.72 грн
1000+5.07 грн
Мінімальне замовлення: 51 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVJD5121NT1G NVJD5121NT1G ONSEMI ntjd5121n-d.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 0.212A; 0.25W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.212A
Power dissipation: 0.25W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
On-state resistance: 1.6Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 3026 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
19+24.39 грн
28+15.43 грн
32+13.25 грн
50+9.81 грн
100+8.97 грн
500+7.38 грн
1000+6.79 грн
3000+6.12 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVJD5121NT1G NVJD5121NT1G onsemi ntjd5121n-d.pdf Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.295A SC88
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 250mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 295mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 26pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+29.78 грн
18+17.74 грн
50+12.82 грн
100+10.51 грн
500+7.83 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVJD5121NT1G NVJD5121NT1G onsemi ntjd5121n-d.pdf MOSFETs NFET SC88 60V 295MA 1.6OH
на замовлення 57176 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVJD5121NT1G NVJD5121NT1G ONSEMI ONSM-S-A0013576913-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NVJD5121NT1G - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 295 mA, 295 mA, 1 ohm
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 295mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 295mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 250mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 250mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 4870 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVJD5121NT1G NVJD5121NT1G ONSEMI ONSM-S-A0013576913-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NVJD5121NT1G - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 295 mA, 295 mA, 1 ohm
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 295mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 295mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 250mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 250mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 4870 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVJD5121NT1G ntjd5121n-d.pdf
NVJD5121NT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.295A 6-Pin SC-88 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
30000+6.76 грн
Мінімальне замовлення: 30000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVJD5121NT1G ntjd5121n-d.pdf
NVJD5121NT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.295A 6-Pin SC-88 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
30000+6.78 грн
Мінімальне замовлення: 30000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVJD5121NT1G ntjd5121n-d.pdf
NVJD5121NT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.295A 6-Pin SC-88 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2957 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1581+8.95 грн
1729+8.18 грн
1904+7.43 грн
2119+6.44 грн
2393+5.28 грн
Мінімальне замовлення: 1581 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVJD5121NT1G ntjd5121n-d.pdf
NVJD5121NT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.295A 6-Pin SC-88 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2957 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
51+14.94 грн
84+9.04 грн
85+8.95 грн
100+7.89 грн
250+6.63 грн
500+5.72 грн
1000+5.07 грн
Мінімальне замовлення: 51 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVJD5121NT1G ntjd5121n-d.pdf
NVJD5121NT1G
Виробник: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 0.212A; 0.25W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.212A
Power dissipation: 0.25W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
On-state resistance: 1.6Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 3026 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
19+24.39 грн
28+15.43 грн
32+13.25 грн
50+9.81 грн
100+8.97 грн
500+7.38 грн
1000+6.79 грн
3000+6.12 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVJD5121NT1G ntjd5121n-d.pdf
NVJD5121NT1G
Виробник: onsemi
Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.295A SC88
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 250mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 295mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 26pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
11+29.78 грн
18+17.74 грн
50+12.82 грн
100+10.51 грн
500+7.83 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVJD5121NT1G ntjd5121n-d.pdf
NVJD5121NT1G
Виробник: onsemi
MOSFETs NFET SC88 60V 295MA 1.6OH
на замовлення 57176 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVJD5121NT1G ONSM-S-A0013576913-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
NVJD5121NT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVJD5121NT1G - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 295 mA, 295 mA, 1 ohm
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 295mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 295mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 250mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 250mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 4870 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVJD5121NT1G ONSM-S-A0013576913-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
NVJD5121NT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVJD5121NT1G - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 295 mA, 295 mA, 1 ohm
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 295mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 295mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 250mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 250mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 4870 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.