Продукція > ONSEMI > NVJD5121NT2G
NVJD5121NT2G

NVJD5121NT2G ONSEMI

4073644.pdf Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVJD5121NT2G - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 60 V, 295 mA, 1.6 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 295mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SC-88
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.6ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 250mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 5945 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+9.35 грн
1000+5.45 грн
5000+4.72 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NVJD5121NT2G ONSEMI

Description: ONSEMI - NVJD5121NT2G - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 60 V, 295 mA, 1.6 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 295mA, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: -, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SC-88, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.6ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: Zweifach n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 250mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).

Інші пропозиції NVJD5121NT2G за ціною від 4.27 грн до 32.52 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NVJD5121NT2G NVJD5121NT2G Виробник : onsemi ntjd5121n-d.pdf Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.295A SC88
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 250mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 295mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 26pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2841 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
16+20.69 грн
23+13.49 грн
100+9.06 грн
500+6.55 грн
1000+5.89 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
NVJD5121NT2G NVJD5121NT2G Виробник : onsemi NTJD5121N_D-2318540.pdf MOSFETs NFET SC88 60V 295MA 16OH
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
12+31.16 грн
19+18.78 грн
100+7.72 грн
1000+6.18 грн
3000+5.22 грн
9000+4.34 грн
24000+4.27 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
NVJD5121NT2G NVJD5121NT2G Виробник : ONSEMI 4073644.pdf Description: ONSEMI - NVJD5121NT2G - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 60 V, 295 mA, 1.6 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 295mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SC-88
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.6ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 250mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 5945 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
26+32.52 грн
34+24.59 грн
100+13.70 грн
500+9.35 грн
1000+5.45 грн
5000+4.72 грн
Мінімальне замовлення: 26
В кошику  од. на суму  грн.
NVJD5121NT2G Виробник : ONSEMI ntjd5121n-d.pdf NVJD5121NT2G SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVJD5121NT2G NVJD5121NT2G Виробник : onsemi ntjd5121n-d.pdf Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.295A SC88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 250mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 295mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 26pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.