Продукція > ONSEMI > NVLJS053N12MCLTAG

NVLJS053N12MCLTAG onsemi

nvljs053n12mcl-d.pdf Виробник: onsemi
Description: PTNG 120V LL NCH IN UDFN 2.0X2.0
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 5.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 620mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 30µA
Supplier Device Package: 6-UDFN (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520 pF @ 60 V
на замовлення 2850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+55.51 грн
10+46.53 грн
100+32.21 грн
500+25.26 грн
1000+21.50 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NVLJS053N12MCLTAG onsemi

Description: PTNG 120V LL NCH IN UDFN 2.0X2.0, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.8A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 5.2A, 10V, Power Dissipation (Max): 620mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 30µA, Supplier Device Package: 6-UDFN (2x2), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520 pF @ 60 V.

Інші пропозиції NVLJS053N12MCLTAG за ціною від 19.32 грн до 76.94 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NVLJS053N12MCLTAG Виробник : onsemi nvljs053n12mcl-d.pdf MOSFETs PTNG 120V LL NCH IN UDFN 20X20
на замовлення 338 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+76.94 грн
10+52.76 грн
100+31.84 грн
500+27.32 грн
1000+24.45 грн
3000+20.15 грн
6000+19.32 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NVLJS053N12MCLTAG Виробник : ON Semiconductor nvljs053n12mcl-d.pdf Power MOSFET, Single N-Channel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVLJS053N12MCLTAG Виробник : ON Semiconductor nvljs053n12mcl-d.pdf Power MOSFET, Single N-Channel Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVLJS053N12MCLTAG Виробник : ONSEMI nvljs053n12mcl-d.pdf NVLJS053N12MCLTAG SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVLJS053N12MCLTAG Виробник : onsemi nvljs053n12mcl-d.pdf Description: PTNG 120V LL NCH IN UDFN 2.0X2.0
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 5.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 620mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 30µA
Supplier Device Package: 6-UDFN (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520 pF @ 60 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.