Продукція > ONSEMI > NVLJWD023N04CLTAG
NVLJWD023N04CLTAG

NVLJWD023N04CLTAG onsemi

nvljwd023n04cl-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET 2N-CH 40V 7A 6WDFNW
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta), 24W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 25A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 13µA
Supplier Device Package: 6-WDFNW (2.2x2.3)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NVLJWD023N04CLTAG onsemi

Description: MOSFET 2N-CH 40V 7A 6WDFNW, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 2W (Ta), 24W (Tc), Drain to Source Voltage (Vdss): 40V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 25A (Tc), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440pF @ 25V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 5A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 13µA, Supplier Device Package: 6-WDFNW (2.2x2.3), Grade: Automotive, Part Status: Active, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції NVLJWD023N04CLTAG

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
NVLJWD023N04CLTAG NVLJWD023N04CLTAG onsemi nvljwd023n04cl-d.pdf Description: MOSFET 2N-CH 40V 7A 6WDFNW
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta), 24W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 25A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 13µA
Supplier Device Package: 6-WDFNW (2.2x2.3)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVLJWD023N04CLTAG NVLJWD023N04CLTAG onsemi nvljwd023n04cl-d.pdf MOSFETs T6 40V LL 2X2 WDFNW6
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVLJWD023N04CLTAG nvljwd023n04cl-d.pdf
NVLJWD023N04CLTAG
Виробник: onsemi
Description: MOSFET 2N-CH 40V 7A 6WDFNW
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta), 24W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 25A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 13µA
Supplier Device Package: 6-WDFNW (2.2x2.3)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVLJWD023N04CLTAG nvljwd023n04cl-d.pdf
NVLJWD023N04CLTAG
Виробник: onsemi
MOSFETs T6 40V LL 2X2 WDFNW6
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.