Продукція > ONSEMI > NVLJWD040N06CLTAG
NVLJWD040N06CLTAG

NVLJWD040N06CLTAG onsemi

nvljwd040n06cl-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET 2N-CH 60V 5.5A 6WDFNW
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.2W (Ta), 24W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta), 18A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 13µA
Supplier Device Package: 6-WDFNW (2.2x2.3)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+23.03 грн
6000+21.63 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NVLJWD040N06CLTAG onsemi

Description: MOSFET 2N-CH 60V 5.5A 6WDFNW, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 2.2W (Ta), 24W (Tc), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta), 18A (Tc), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340pF @ 25V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 5A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 13µA, Supplier Device Package: 6-WDFNW (2.2x2.3), Grade: Automotive, Part Status: Active, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції NVLJWD040N06CLTAG за ціною від 20.88 грн до 52.94 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NVLJWD040N06CLTAG NVLJWD040N06CLTAG Виробник : onsemi nvljwd040n06cl-d.pdf Description: MOSFET 2N-CH 60V 5.5A 6WDFNW
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.2W (Ta), 24W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta), 18A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 13µA
Supplier Device Package: 6-WDFNW (2.2x2.3)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 10369 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+51.52 грн
10+35.48 грн
25+31.90 грн
100+26.23 грн
250+24.46 грн
500+23.40 грн
1000+22.15 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
NVLJWD040N06CLTAG NVLJWD040N06CLTAG Виробник : onsemi nvljwd040n06cl-d.pdf MOSFETs T6 60V LL 2X2 WDFNW6
на замовлення 2777 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+52.94 грн
10+33.27 грн
100+23.66 грн
500+22.62 грн
1000+21.79 грн
3000+20.88 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
NVLJWD040N06CLTAG Виробник : ONSEMI nvljwd040n06cl-d.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 18A; Idm: 54A; 12W; WDFNW6
Case: WDFNW6
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET x2
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 6nC
On-state resistance: 38mΩ
Drain current: 18A
Power dissipation: 12W
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 54A
Drain-source voltage: 60V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.