Продукція > ONSEMI > NVLJWD040N06CLTAG
NVLJWD040N06CLTAG

NVLJWD040N06CLTAG onsemi

nvljwd040n06cl-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET 2N-CH 60V 5.5A 6WDFNW
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.2W (Ta), 24W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta), 18A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 13µA
Supplier Device Package: 6-WDFNW (2.2x2.3)
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+22.81 грн
6000+21.42 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NVLJWD040N06CLTAG onsemi

Description: MOSFET 2N-CH 60V 5.5A 6WDFNW, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 2.2W (Ta), 24W (Tc), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta), 18A (Tc), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340pF @ 25V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 5A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 13µA, Supplier Device Package: 6-WDFNW (2.2x2.3), Part Status: Active, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції NVLJWD040N06CLTAG за ціною від 21.94 грн до 51.03 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
NVLJWD040N06CLTAG NVLJWD040N06CLTAG onsemi nvljwd040n06cl-d.pdf Description: MOSFET 2N-CH 60V 5.5A 6WDFNW
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.2W (Ta), 24W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta), 18A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 13µA
Supplier Device Package: 6-WDFNW (2.2x2.3)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 10369 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+51.03 грн
10+35.14 грн
25+31.60 грн
100+25.98 грн
250+24.23 грн
500+23.18 грн
1000+21.94 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVLJWD040N06CLTAG NVLJWD040N06CLTAG onsemi nvljwd040n06cl-d.pdf MOSFETs T6 60V LL 2X2 WDFNW6
на замовлення 2605 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVLJWD040N06CLTAG nvljwd040n06cl-d.pdf
NVLJWD040N06CLTAG
Виробник: onsemi
Description: MOSFET 2N-CH 60V 5.5A 6WDFNW
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.2W (Ta), 24W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta), 18A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 13µA
Supplier Device Package: 6-WDFNW (2.2x2.3)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 10369 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+51.03 грн
10+35.14 грн
25+31.60 грн
100+25.98 грн
250+24.23 грн
500+23.18 грн
1000+21.94 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVLJWD040N06CLTAG nvljwd040n06cl-d.pdf
NVLJWD040N06CLTAG
Виробник: onsemi
MOSFETs T6 60V LL 2X2 WDFNW6
на замовлення 2605 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.