NVLJWD040N06CLTAG onsemi
Виробник: onsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 5.5A 6WDFNW
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.2W (Ta), 24W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta), 18A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 13µA
Supplier Device Package: 6-WDFNW (2.2x2.3)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 23.35 грн |
| 6000+ | 21.93 грн |
| 9000+ | 21.65 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NVLJWD040N06CLTAG onsemi
Description: MOSFET 2N-CH 60V 5.5A 6WDFNW, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 2.2W (Ta), 24W (Tc), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta), 18A (Tc), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340pF @ 25V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 5A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 13µA, Supplier Device Package: 6-WDFNW (2.2x2.3), Grade: Automotive, Part Status: Active, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції NVLJWD040N06CLTAG за ціною від 20.14 грн до 96.92 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
NVLJWD040N06CLTAG | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET 2N-CH 60V 5.5A 6WDFNW Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2.2W (Ta), 24W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta), 18A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 13µA Supplier Device Package: 6-WDFNW (2.2x2.3) Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 14295 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
NVLJWD040N06CLTAG | Виробник : onsemi |
MOSFETs MOSFET - Power, Dual N-Channel 60 V, 38 mohm, 18 A |
на замовлення 2511 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|