Продукція > ONSEMI > NVLJWS011N06CLTAG
NVLJWS011N06CLTAG

NVLJWS011N06CLTAG onsemi

nvljws011n06cl-d.pdf Виробник: onsemi
Description: T6 60V LL 2X2 WDFNW6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.9W (Ta), 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 34µA
Supplier Device Package: 6-WDFNW (2.05x2.05)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 912 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+24.62 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NVLJWS011N06CLTAG onsemi

Description: T6 60V LL 2X2 WDFNW6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-PowerWDFN, Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 48A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 10A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.9W (Ta), 46W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 34µA, Supplier Device Package: 6-WDFNW (2.05x2.05), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.6 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 912 pF @ 25 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції NVLJWS011N06CLTAG за ціною від 21.41 грн до 58.41 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NVLJWS011N06CLTAG NVLJWS011N06CLTAG Виробник : onsemi nvljws011n06cl-d.pdf Description: T6 60V LL 2X2 WDFNW6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.9W (Ta), 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 34µA
Supplier Device Package: 6-WDFNW (2.05x2.05)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 912 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4570 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+53.65 грн
10+36.82 грн
25+33.13 грн
100+27.24 грн
250+25.40 грн
500+24.29 грн
1000+23.00 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
NVLJWS011N06CLTAG Виробник : onsemi NVLJWS011N06CL-D.PDF MOSFETs T6 60V LL 2X2 WDFNW6
на замовлення 3134 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+58.41 грн
10+37.12 грн
100+26.37 грн
500+25.27 грн
1000+24.33 грн
3000+22.12 грн
6000+21.41 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
NVLJWS011N06CLTAG Виробник : ON Semiconductor nvljws011n06cl-d.pdf Single N-Channel MOSFET Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVLJWS011N06CLTAG Виробник : ONSEMI nvljws011n06cl-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 48A; Idm: 233A; 23W; WDFNW6
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 48A
Case: WDFNW6
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 233A
Gate charge: 13.6nC
On-state resistance: 9mΩ
Power dissipation: 23W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.