Продукція > ONSEMI > NVLJWS011N06CLTAG
NVLJWS011N06CLTAG

NVLJWS011N06CLTAG onsemi

nvljws011n06cl-d.pdf Виробник: onsemi
Description: T6 60V LL 2X2 WDFNW6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.9W (Ta), 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 34µA
Supplier Device Package: 6-WDFNW (2.05x2.05)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 912 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+25.99 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NVLJWS011N06CLTAG onsemi

Description: T6 60V LL 2X2 WDFNW6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-PowerWDFN, Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 48A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 10A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.9W (Ta), 46W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 34µA, Supplier Device Package: 6-WDFNW (2.05x2.05), Grade: Automotive, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.6 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 912 pF @ 25 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції NVLJWS011N06CLTAG за ціною від 21.87 грн до 107.97 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NVLJWS011N06CLTAG NVLJWS011N06CLTAG Виробник : onsemi nvljws011n06cl-d.pdf Description: T6 60V LL 2X2 WDFNW6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.9W (Ta), 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 34µA
Supplier Device Package: 6-WDFNW (2.05x2.05)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 912 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5834 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+107.97 грн
10+63.68 грн
25+53.18 грн
100+38.75 грн
250+33.26 грн
500+29.89 грн
1000+26.62 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NVLJWS011N06CLTAG Виробник : onsemi NVLJWS011N06CL_D-3012044.pdf MOSFETs Single N-Channel wDFNW6 Power MOSFET 60 V, 48 A, 9mohm WDFNW6 (Pb?Free, Wettable Flanks)
на замовлення 1321 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+101.03 грн
10+56.89 грн
100+33.39 грн
500+29.94 грн
1000+27.45 грн
3000+23.04 грн
6000+21.87 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NVLJWS011N06CLTAG Виробник : ON Semiconductor nvljws011n06cl-d.pdf Single N-Channel MOSFET Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVLJWS011N06CLTAG Виробник : ONSEMI nvljws011n06cl-d.pdf NVLJWS011N06CLTAG SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.